[发明专利]晶圆厚度的测量方法及其测量装置

说明书

本申请提供了一种晶圆厚度的测量方法及其测量装置。该晶圆厚度的测量方法包括：利用干涉仪获取晶圆的第一表面的形貌图，以根据形貌图获取晶圆的损失体积Vsubgt;e/subgt;，其中，晶圆的损失体积Vsubgt;e/subgt;为晶圆相对于晶圆对应的标准晶圆所失去的体积；针对位于卡盘上方的晶圆利用干涉仪获取晶圆和卡盘对应的干涉强度图或干涉条纹图，以根据干涉强度图或干涉条纹图获取晶圆的表面面积Asubgt;0/subgt;并根据Vsubgt;e/subgt;和Asubgt;0/subgt;结合晶圆的体积V获取晶圆的厚度Tsubgt;0/subgt;，其中，晶圆的表面面积Asubgt;0/subgt;小于卡盘的表面面积Asubgt;卡盘/subgt;。本申请实施例中，在测量晶圆的厚度Tsubgt;0/subgt;的过程中，由于充分考虑到晶圆的损失体积Vsubgt;e/subgt;，从而使得晶圆的厚度更加精准，进而减少了晶圆厚度的误差。

技术领域

本申请涉及晶圆厚度测量技术领域，具体涉及一种晶圆厚度的测量方法及其测量装置。

背景技术

随着电子时代的快速发展，半导体行业成为研究重点。由于晶圆是制造半导体芯片的基本材料，因而晶圆的几何参数如晶圆的厚度、形状和平整度等对晶圆的质量起着至关重要的作用。其中，如何精确地获取晶圆的厚度，是目前亟需解决的技术问题。

然而，由于晶圆的制备工艺如晶圆磨削过程等的影响，晶圆表面不同位置处厚度存在偏差，这使得难以精准地获取晶圆的厚度。

发明内容

有鉴于此，本申请实施例致力于提供一种晶圆厚度的测量方法及其测量装置，以减少晶圆厚度的测量误差。

本申请的第一方面提供了一种晶圆厚度的测量方法。该晶圆厚度的测量方法包括：利用干涉仪获取晶圆的第一表面的形貌图，以根据形貌图获取晶圆的损失体积V_e，其中，晶圆的损失体积V_e为晶圆相对于晶圆对应的标准晶圆所失去的体积；针对位于卡盘上方的晶圆利用干涉仪获取晶圆和卡盘对应的干涉强度图或干涉条纹图，以根据干涉强度图或干涉条纹图获取晶圆的表面面积A₀并根据V_e和A₀结合晶圆的体积V获取晶圆的厚度T₀，其中，晶圆的表面面积A₀小于卡盘的表面面积A_卡盘。

在本申请一实施例中，上述利用干涉仪获取晶圆的第一表面的形貌图，以根据形貌图获取晶圆的损失体积V_e，包括：利用干涉仪获取晶圆的第一表面的形貌图；根据形貌图获取晶圆的边缘的高度变化线，以根据高度变化线获取晶圆的损失体积V_e，其中，晶圆的边缘为晶圆上与晶圆的轴线之间的距离大于预设值P对应的区域。

在本申请一实施例中，上述根据形貌图获取晶圆的边缘的高度变化线，以根据高度变化线获取晶圆的损失体积V_e，包括：根据形貌图获取晶圆的边缘的高度变化线对应的第一半径R₁、斜率K或弯曲度C；根据第一半径R₁、斜率K或弯曲度C获取晶圆的损失体积V_e。

在本申请一实施例中，上述针对位于卡盘上方的晶圆利用干涉仪获取晶圆和卡盘对应的干涉强度图或干涉条纹图，以根据干涉强度图或干涉条纹图获取晶圆的表面面积A₀并根据V_e和A₀结合晶圆的体积V获取晶圆的厚度T₀，包括：针对位于卡盘上方的晶圆利用干涉仪获取晶圆和卡盘对应的干涉强度图或干涉条纹图；根据干涉强度图或干涉条纹图确定晶圆的半径R₀；根据晶圆的半径R₀计算得到晶圆的表面面积A₀；根据V_e和A₀结合晶圆的体积V获取晶圆的厚度T₀。