[发明专利]半导体发光二极管及其制备方法

权利要求书

1.一种半导体发光二极管，包括：

半导体发光叠层，具有第一表面；

透明导电层、第一绝缘层和金属反射层在第一表面上方依次由下至上层叠；

其特征在于，第一绝缘层在透明导电层上具有相对的上表面和下表面，所述第一绝缘层的上表面分为上表面一、上表面二以及连接上表面一和上表面二的斜上表面；所述的第一绝缘层的下表面与透明导电层接触，所述第一绝缘层的斜上表面相对于所述上表面一的倾斜角大于等于120°；所述第一绝缘层的上表面一相对于上表面二具有高低差，使上表面一与下表面之间的第一绝缘层的厚度小于上表面二与下表面之间的第一绝缘层的厚度；所述的金属反射层位于第一绝缘层的上表面一上，并且所述的金属反射层的上表面边缘位于第一绝缘层的斜上表面上。

2.根据权利要求1所述的半导体发光二极管，其特征在于，所述第一绝缘层的斜上表面相对于所述第一绝缘层的上表面一倾斜角大于等于150°。

3.根据权利要求1所述的半导体发光二极管，其特征在于，所述的金属反射层上表面边缘具有朝上的V型翘角。

4.根据权利要求3所述的半导体发光二极管，其特征在于，所述的金属反射层上表面边缘朝上的所述V型翘角的V型角度大于等于90°。

5.根据权利要求1所述的半导体发光二极管，其特征在于，所述金属反射层的厚度小于或者等于所述第一绝缘层在半导体发光叠层的第一表面上的最大厚度。

6.根据权利要求1所述的半导体发光二极管，其特征在于，还包括黏附层，金属反射层位于黏附层上，黏附层与第一绝缘层接触。

7.根据权利要求6所述的半导体发光二极管，其特征在于，所述金属反射层为银或者铝。

8.根据权利要求7所述的半导体发光二极管，其特征在于，所述的金属反射层的厚度至少100nm。

9.根据权利要求6所述的半导体发光二极管，其特征在于，所述的黏附层厚度为0.3~5nm。

10.根据权利要求1所述的半导体发光二极管，其特征在于，还包括金属反射层上的压应力层；所述的压应力层的厚度在20nm~300nm。

11.根据权利要求10所述的半导体发光二极管，其特征在于，所述的压应力层上还有一层第二黏附层。

12.根据权利要求11所述的半导体发光二极管，其特征在于，所述的第二黏附层的厚度大于压应力层的厚度。

13.根据权利要求1所述的半导体发光二极管，其特征在于，所述的金属反射层上还有阻挡层，所述的阻挡层阻挡金属反射层元素扩散，阻挡层的边缘位于第一绝缘层的上表面二上。

14.根据权利要求1所述的半导体发光二极管，其特征在于，所述的金属反射层在半导体发光叠层的第一表面上的投影面积小于透明导电层在半导体发光叠层的第一表面上的投影面积，所述的金属反射层在半导体发光叠层的第一表面上的投影面积占半导体发光叠层的第一表面的面积的50~100%。

15.根据权利要求1所述的半导体发光二极管，其特征在于，所述的金属反射层上方还有第二绝缘层，所述的第二绝缘层上还有第一连接电极和第二连接电极。

16.根据权利要求1所述的半导体发光二极管，其特征在于，所述第一绝缘层的上表面一与所述第一绝缘层的下表面之间具有贯穿孔，所述的金属反射层填充所述的第一绝缘层的贯穿孔与透明导电层接触。