[发明专利]半导体发光二极管及其制备方法

说明书

本发明涉及一种半导体发光二极管，其包括半导体发光叠层，具有第一表面；透明导电层、第一绝缘层和金属反射层在第一表面上方依次层叠；还包括第一绝缘层，第一绝缘层在透明导电层上具有相对的上表面和下表面，所述第一绝缘层的上表面分为上表面一、上表面二以及连接上表面一和上表面二的斜上表面；所述的斜上表面相对于所述上表面一倾斜角大于等于120°；所述上表面一相对于上表面二具有高低差，使上表面一与下表面之间的第一绝缘层的厚度小于上表面二与下表面之间的第一绝缘层的厚度。

技术领域

本发明涉及半导体固体照明技术领域，尤其涉及一种半导体发光二极管及其制备方法。

背景技术

商业化的半导体发光二极管（LED）封装，一开始多采用金线将芯片的PN结与支架正负极连接的正装封装结构。然而，正装结构存在着光衰较大、光淬灭和散热等失效问题，制约其发展。为此，业内研究者们相继开发了垂直结构的半导体发光二极管和倒装的半导体发光二极管。

相较于正装的半导体发光二极管，垂直的半导体发光二极管结构能够提高散热效率。垂直的半导体发光二极管，两个电极分别在半导体发光二极管外延层的两侧，通过电极，使得电流几乎全部垂直流过半导体发光二极管外延层，横向流动的电流极少，可以避免局部高温。

相较于正装的半导体发光二极管，倒装的半导体发光二极管结构可以集成化和批量化生产，制备工艺简单，性能优良。倒装结构采用将半导体发光二极管的PN结直接与基板上的正负极共晶键合，不使用金线，最大限度避免光淬灭问题。共晶键合结构对散热问题有了很大的改善。

垂直发光二极管和倒装发光二极管都需要金属反射层在出光面相反的一侧，将一侧的光反射至另外一侧或者侧面出光出光。然而，无论是垂直封装的半导体发光二极管结构还是倒装的半导体发光二极管结构，均存在内部金属反射层易剥离（peeling）的问题，仍然有待改进。

发明内容

本发明解决的问题是提供一种半导体发光二极管及其制备方法，改善半导体发光二极管内部金属反射层易剥离和覆盖不良的情况，电流扩展效率更好，亮度提升。

为解决上述问题，本发明提供了一种半导体发光二极管，包括：

半导体发光叠层，具有第一表面；

透明导电层、第一绝缘层和金属反射层在第一表面上方依次层叠，所述的半导体发光叠层的光能通过透明导电层、第一绝缘层到达金属反射层表面并被第一金属反射层反射回来；

其特征在于，第一绝缘层在透明导电层上具有相对的上表面和下表面，所述第一绝缘层的上表面分为上表面一、上表面二以及连接上表面一和上表面二的斜上表面；所述的斜上表面相对于所述上表面一倾斜角大于等于120°；所述上表面一相对于上表面二具有高低差，使上表面一与下表面之间的第一绝缘层的厚度小于上表面二与下表面之间的第一绝缘层的厚度。

优选的，所述的斜上表面相对于所述上表面一倾斜角大于等于150°。

优选的，所述的金属反射层上表面边缘具有朝上的V型翘角。

优选的，所述的金属反射层上边缘朝上的V型翘角的V型角度大于等于90°，更优选的为大于等于120°。

优选的，所述的金属反射层位于第一绝缘层的上表面一上，并且边缘位于第一绝缘层的斜上表面上。

优选的，所述金属反射层的厚度小于或者等于所述第一绝缘层在半导体发光叠层的第一表面上的最大厚度。

优选的，所述的金属反射层为多层，包括黏附层和黏附层上的金属反射层，黏附层与第一绝缘层接触。

优选的，所述金属反射层为银或者铝。

优选的，所述的反射性金属的厚度至少100nm。

优选的，所述的黏附层厚度为0.3~5nm。