[发明专利]一种MEMS结构在审
| 申请号： | 202110611828.0 | 申请日： | 2021-06-02 |
| 公开（公告）号： | CN113194394A | 公开（公告）日： | 2021-07-30 |
| 发明（设计）人： | 韩娇;刘端 | 申请（专利权）人： | 安徽奥飞声学科技有限公司 |
| 主分类号： | H04R19/04 | 分类号： | H04R19/04 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 230092 安徽省合肥市高新区习友路333*** | 国省代码： | 安徽;34 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 mems 结构 | ||
【权利要求书】：
1.一种MEMS结构，其特征在于，包括：
衬底，具有空腔；
压电复合振动层，形成在所述衬底上方并且覆盖所述空腔，其中，所述压电复合振动层具有位于衬底上方的第一区域和位于所述空腔上方的第二区域，在所述第一区域内凹槽从所述压电复合振动层的上表面延伸至所述压电复合振动层的下表面。
2.根据权利要求1所述的MEMS结构，其特征在于，从所述MEMS结构的俯视角度看，所述凹槽连续地周向环绕所述第二区域，并且所述凹槽包括多个周向均匀排列的折线槽或波浪线槽。
3.根据权利要求1所述的MEMS结构，其特征在于，从所述MEMS结构的俯视角度看，所述凹槽包括多个在圆周方向上均匀排列的径向槽。
4.根据权利要求1所述的MEMS结构，其特征在于，所述压电复合振动层包括：
振动支撑层，形成在所述衬底上方并且覆盖所述空腔；
第一电极层，形成在所述振动支撑层上方；
第一压电层，形成在所述第一电极层上方；
第二电极层，形成在所述第一压电层上方。
5.根据权利要求1所述的MEMS结构，其特征在于，所述压电复合振动层包括：
第三电极层，形成在所述衬底上方；
第二压电层，形成在所述第三电极层上方；
第四电极层，形成在所述第二压电层上方；
第三压电层，形成在所述第四电极层上方；
第五电极层，形成在所述第三压电层上方。
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