[发明专利]量子点发光二极管器件及其制备方法

权利要求书

1.一种量子点发光二极管器件，其特征在于，包括阴极、阳极以及设在所述阴极和所述阳极之间的叠层，所述叠层包括量子点发光层、电子传输层以及设在所述量子点发光层和所述电子传输层之间的包含卤化银的膜层，所述量子点发光层靠近所述阳极设置，所述电子传输层靠近所述阴极设置。

2.如权利要求1所述的量子点发光二极管器件，其特征在于，所述包含卤化银的膜层为卤化银层。

3.如权利要求1所述的量子点发光二极管器件，其特征在于，所述包含卤化银的膜层还包括光催化剂。

4.如权利要求1所述的量子点发光二极管器件，其特征在于，所述卤化银为氯化银、溴化银或碘化银。

5.如权利要求1所述的量子点发光二极管器件，其特征在于，所述量子点发光层包括蓝光量子点、绿光量子点或红光量子点，所述蓝光量子点包括CdZnS、CdZnSe、CdS/ZnS、CdZnS/ZnS、CdZnSe/ZnSe/ZnS、CdZnSe/ZnSe/CdZnS、ZnSeTe/ZnSe/ZnS、ZnSTe/ZnSe/ZnS、ZnSeTe/ZnS、CsPbCl₃和CsPbCl₂Br中的至少一种，所述绿光量子点包括CdZnSeS、CdZnSeS/ZnSe/ZnS、CdZnSe/ZnS、CdZnSe/CdS、CdZnSe/ZnSe/ZnS、ZnSeTe/ZnSe/ZnS、ZnSeTe/ZnS InP/ZnS、InP/ZnSe/ZnS和CsPbBr₃中的至少一种，所述红光量子点包括CdSeS、CdZnSeS、CdZnSeS/ZnSe、CdZnSeS/ZnS、CdSe/ZnS、CdZnSe/CdZnSe/ZnS、CdZnSe/CdZnSe/ZnSe/ZnS、InP/ZnS、InP/ZnSe/ZnS、CsPbI₃、CuInS₂/ZnSe/ZnS和CuInS₂/ZnS中的至少一种。

6.一种量子点发光二极管器件的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：

在阳极基板上制备量子点发光层；

在所述量子点发光层上制备包含卤化银的膜层；

在所述包含卤化银的膜层上制备电子传输层；

在所述电子传输层上制备阴极，获得所述量子点发光二极管器件；

或者，在阴极基板上制备电子传输层；

在所述电子传输层上制备包含卤化银的膜层；

在所述包含卤化银的膜层上制备量子点发光层；

在所述量子点发光层上制备阳极，获得所述量子点发光二极管器件。

7.如权利要求6所述的量子点发光二极管器件的制备方法，其特征在于，所述在所述量子点发光层上制备包含卤化银的膜层的步骤包括：

先沉积银盐溶液、再沉积卤素盐溶液，或者先沉积卤素盐溶液、再沉积银盐溶液；

或者，所述在所述电子传输层上制备包含卤化银的膜层的步骤包括：

先沉积银盐溶液、再沉积卤素盐溶液，或者先沉积卤素盐溶液、再沉积银盐溶液。

8.如权利要求7所述的量子点发光二极管器件的制备方法，其特征在于，所述银盐为可溶性银盐，所述卤素盐为可溶性氯盐、可溶性溴盐或可溶性碘盐。

9.如权利要求8所述的量子点发光二极管器件的制备方法，其特征在于，所述可溶性银盐为硝酸银或氟化银；所述可溶性氯盐为氯化镁、氯化钙、氯化铵、氯化钠或氯化锌；所述可溶性溴盐为溴化铵、溴化钠或溴化钾；所述可溶性碘盐为碘化铵、碘化钠或碘化钾。