[发明专利]量子点发光二极管器件及其制备方法

说明书

本申请公开了一种量子点发光二极管器件及其制备方法。量子点发光二极管器件包括阴极、阳极以及设在阴极和阳极之间的叠层，叠层包括量子点发光层、电子传输层以及设在量子点发光层和电子传输层之间的包含卤化银的膜层，量子点发光层靠近阳极设置，电子传输层靠近阴极设置。本申请可以抑制电子传输层形成光生空穴，减缓性能衰减速率，还可以减缓电子注入速率，改善电子、空穴注入不平衡状态。

技术领域

本申请涉及量子点光电器件技术领域，具体涉及一种量子点发光二极管器件及其制备方法。

背景技术

量子点材料由于其独特的光电性能，被认为在光伏发电、光电显示领域有广泛的应用，并成为研究热点。在光电器件制备方面，旋涂法具有工艺条件温和、操作简单、节能环保等特点，其制备光电器件具有载流子迁移率高、厚度精确等优势。目前，旋涂法是制备量子点发光二极管(Quantum Dot Light Emitting Diodes，QLED)最常用的方法。

在光电显示领域中，QLED作为发光单元，主要分为红光、绿光、蓝光三基色器件。经过前期探索，红光、绿光器件已取得重大突破，基本满足商业化需求，与此同时，蓝光QLED发展远远滞后与红光、绿光QLED，成为量子点光电显示的短板。因此，提升蓝光QLED性能是实现量子点光电显示实现商业化的关键所在，也是量子点领域的研究热点。

QLED结构主要包括导电玻璃基板、空穴传输层、量子点复合发光层、电子传输层、金属阴极。目前，电子传输层材料主要选取纳米N型半导体材料，在纳米尺寸下，这些材料具有良好的光催化性能(即光激发下形成光生电子、光生空穴)，且随着光能量增加其光催化性能越好。在蓝光器件中，由于器件发出能量较高的蓝光，可以有效地激发电子传输层材料最低未占分子轨道(Lowest Unoccupied Molecular Orbital，LUMO)中的电子，形成光生空穴。光生空穴具有超强的氧化性，可以快速地氧化量子点材料表面的配体，并降低量子点壳层对量子点核内激子的束缚能力，进而破坏器件的光电性能。因此，如何抑制电子传输层材料形成光生空穴以保护量子点材料是提升量子点发光二极管器件亟待解决的问题。

发明内容

为解决电子传输层材料受激发形成的光生空穴破坏量子点器件性能的问题，本申请实施例提供一种量子点发光二极管器件及其制备方法，尤其是一种蓝光量子点发光二极管器件及其制备方法。

本申请实施例提供一种量子点发光二极管器件，包括阴极、阳极以及设在所述阴极和所述阳极之间的叠层，所述叠层包括量子点发光层、电子传输层以及设在所述量子点发光层和所述电子传输层之间的包含卤化银的膜层，所述量子点发光层靠近所述阳极设置，所述电子传输层靠近所述阴极设置。

可选的，在本申请的一些实施例中，所述包含卤化银的膜层为卤化银层。

可选的，在本申请的一些实施例中，所述包含卤化银的膜层还包括光催化剂。

可选的，在本申请的一些实施例中，所述卤化银为氯化银、溴化银或碘化银。