[发明专利]有源矩阵基板及其制造方法在审
申请号: | 202110613024.4 | 申请日: | 2021-06-02 |
公开(公告)号: | CN113764517A | 公开(公告)日: | 2021-12-07 |
发明(设计)人: | 今井元;大东彻;上田辉幸;原义仁;前田昌纪;川崎达也;平田义晴 | 申请(专利权)人: | 夏普株式会社 |
主分类号: | H01L29/423 | 分类号: | H01L29/423;H01L29/24;H01L29/786;H01L27/12;H01L21/84;H01L21/44;H01L21/34 |
代理公司: | 北京市隆安律师事务所 11323 | 代理人: | 权鲜枝;刘宁军 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 有源 矩阵 及其 制造 方法 | ||
1.一种有源矩阵基板,具备:基板;以及多个氧化物半导体TFT,其支撑于上述基板,包含第1TFT和第2TFT,上述有源矩阵基板的特征在于,
上述第1TFT具有:
第1氧化物半导体层;
第1栅极电极,其隔着第1栅极绝缘层配置在上述第1氧化物半导体层的一部分上;以及
第1源极电极及第1漏极电极,其电连接到上述第1氧化物半导体层,
上述第1栅极绝缘层具有包含第1绝缘膜和配置在上述第1绝缘膜上的第2绝缘膜的层叠结构,
上述第2TFT具有:
第2氧化物半导体层,其具有比上述第1氧化物半导体层高的迁移率;
第2栅极电极,其隔着第2栅极绝缘层配置在上述第2氧化物半导体层的一部分上;以及
第2源极电极及第2漏极电极,其电连接到上述第2氧化物半导体层,
上述第2栅极绝缘层包含上述第2绝缘膜,并且不包含上述第1绝缘膜,
上述有源矩阵基板还具备下部绝缘层,上述下部绝缘层配置在上述第2氧化物半导体层与上述基板之间,包含上述第1绝缘膜。
2.根据权利要求1所述的有源矩阵基板,其中,
上述第2氧化物半导体层的侧面与上述下部绝缘层的侧面是对齐的。
3.根据权利要求1或2所述的有源矩阵基板,其中,
上述第1栅极绝缘层的侧面与上述第1栅极电极的侧面是对齐的,上述第2栅极绝缘层的侧面与上述第2栅极电极的侧面是对齐的。
4.根据权利要求1至3中的任意一项所述的有源矩阵基板,其中,
上述第1绝缘膜和上述第2绝缘膜均是氧化硅膜。
5.根据权利要求1至4中的任意一项所述的有源矩阵基板,其中,
上述第1TFT还具备隔着第3绝缘膜配置在上述第1氧化物半导体层的上述基板侧的第1导电层,当从上述基板的法线方向观看时,上述第1导电层是与上述第1氧化物半导体层至少部分地重叠的,
上述第2TFT还具备隔着上述第3绝缘膜配置在上述下部绝缘层的上述基板侧的第2导电层,当从上述基板的法线方向观看时,上述第2导电层是与上述第2氧化物半导体层至少部分地重叠的。
6.根据权利要求1至5中的任意一项所述的有源矩阵基板,其中,
上述有源矩阵基板具有包含多个像素区域的显示区域和设置于上述显示区域的周边的非显示区域,
还具备:
像素TFT,其配置在上述多个像素区域中的每一像素区域;以及
周边电路,其配置在上述非显示区域,
上述像素TFT是上述第1TFT,
上述周边电路包含上述第2TFT。
7.根据权利要求1至5中的任意一项所述的有源矩阵基板,其中,
上述有源矩阵基板具有包含多个像素区域的显示区域和设置于上述显示区域的周边的非显示区域,
还具备配置在上述非显示区域的、栅极驱动电路和SSD电路,
上述栅极驱动电路包含上述第1TFT,
上述SSD电路包含上述第2TFT。
8.根据权利要求1至5中的任意一项所述的有源矩阵基板,其中,
上述有源矩阵基板具有包含多个像素区域的显示区域和设置于上述显示区域的周边的非显示区域,
上述多个像素区域中的每一像素区域具有包含选择用TFT、驱动用TFT以及电容元件的像素电路,
上述驱动用TFT是上述第1TFT,
上述选择用TFT是上述第2TFT。
9.根据权利要求1至5中的任意一项所述的有源矩阵基板,其中,
上述有源矩阵基板具有包含多个像素区域的显示区域和设置于上述显示区域的周边的非显示区域,
还具备:
像素电路,其配置在上述多个像素区域中的每一像素区域,并且包含选择用TFT、驱动用TFT以及电容元件;以及
栅极驱动电路,其配置在上述非显示区域,
上述驱动用TFT是上述第1TFT,
上述栅极驱动电路包含上述第2TFT。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于夏普株式会社,未经夏普株式会社许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/202110613024.4/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类