[发明专利]有源矩阵基板及其制造方法

说明书

提供具备特性相互不同的多个氧化物半导体TFT的有源矩阵基板。一种有源矩阵基板，具备第1TFT和第2TFT，第1TFT具有第1氧化物半导体层和隔着第1栅极绝缘层配置在第1氧化物半导体层的一部分上的第1栅极电极，第1栅极绝缘层具有包含第1绝缘膜和配置在第1绝缘膜上的第2绝缘膜的层叠结构，第2TFT具有第2氧化物半导体层和第2栅极电极，第2氧化物半导体层具有比第1氧化物半导体层高的迁移率，第2栅极电极隔着第2栅极绝缘层配置在第2氧化物半导体层的一部分上，第2栅极绝缘层包含第2绝缘膜，并且不包含第1绝缘膜，在第2氧化物半导体层与基板之间还具备包含第1绝缘膜的下部绝缘层。

技术领域

本发明涉及有源矩阵基板及其制造方法。

背景技术

液晶显示装置、有机电致发光(EL)显示装置等所使用的有源矩阵基板具有：显示区域，其具有多个像素；以及显示区域以外的区域(非显示区域或边框区域)。在显示区域中，按每一像素具备薄膜晶体管(Thin Film Transistor；以下称为“TFT”)等开关元件。作为这种开关元件，以往以来，广泛使用以非晶硅膜为活性层的TFT(以下称为“非晶硅TFT”)、以多晶硅膜为活性层的TFT(以下称为“多晶硅TFT”)。

作为TFT的活性层的材料，已提出使用氧化物半导体来代替非晶硅、多晶硅。将这种TFT称为“氧化物半导体TFT”。氧化物半导体具有比非晶硅高的迁移率。因此，氧化物半导体TFT能以比非晶硅TFT高的速度动作。

TFT的结构大体分为底栅结构和顶栅结构。当前，氧化物半导体TFT多采用底栅结构，但也提出了使用顶栅结构(例如专利文献1)。在顶栅结构中，能够使栅极绝缘层变薄，因此能得到高的电流供应性能。

有时在有源矩阵基板的非显示区域单片(一体)地形成驱动电路等周边电路。通过单片地形成驱动电路，能实现非显示区域的窄小化、安装工序简化所带来的成本降低。例如，有时在非显示区域中单片地形成栅极驱动电路，以COG(Chip on Glass：玻璃上芯片)方式安装源极驱动电路。

在智能手机等窄边框化要求高的设备中，除栅极驱动器之外有时也单片地形成源极切换(Source Shared Driving：SSD)电路等多路分配电路。SSD电路是从来自源极驱动器的各端子的1个视频信号线向多个源极配线分配视频数据的电路。通过SSD电路的搭载，能进一步缩窄非显示区域中的配置端子部和配线的区域(端子部/配线形成区域)。另外，来自源极驱动器的输出数量减少，能使电路规模变小，因此能降低驱动器IC的成本。

驱动电路、SSD电路等周边电路包含TFT。在本说明书中，将配置在显示区域的各像素的TFT称为“像素TFT”，将构成周边电路的TFT称为“电路TFT”。另外，将电路TFT中的构成驱动电路的TFT称为“驱动电路用TFT”，将构成SSD电路的TFT称为“SSD电路用TFT”。

在将氧化物半导体TFT用作像素TFT的有源矩阵基板中，从制造工艺的观点来看，优选电路TFT也使用与像素TFT相同的氧化物半导体膜，并且利用共同的工艺来形成。因此，电路TFT和像素TFT通常具有相同的结构。这些TFT的特性也大致相同。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：特开2015-109315号公报

发明内容

发明要解决的问题

然而，对于像素TFT与电路TFT，所要求的特性分别不同。另外，即使在电路TFT之中，例如对于驱动电路用TFT与SSD电路用TFT，所要求的特性也是不同的。近年来，单片地形成于有源矩阵基板的周边电路的种类在增加，伴随于此，对于电路TFT，所要求的性能进一步多样化。