[发明专利]一种双节锂电保护芯片的带隙基准电路

说明书

本发明公开了一种双节锂电保护芯片的带隙基准电路，包括启动电路单元、低压差线性稳压器单元、运算放大器电路单元、带隙电路单元；所述启动电路单元包括MP1、MP2、MP3三个PMOS管，MN1、MN2、MN3三个NMOS管，以及电容C1；所述MP1与MN1的栅极均连接到VSS，MP1与MN1、MN2的漏极均与MP2、MN3的栅极控制连接，MN2栅极接基准跟随信号VREF0。本发明电路上电时自启动，无需额外偏置电路提供电流，同时可选择不同的电阻R1的值，调节电路静态功耗，满足电路对低功耗的需求，电路中没有cascade结构，能保证电路在低的工作电压下(1.5V)输出正常。

技术领域

本发明涉及锂电保护电路技术领域，尤其涉及一种双节锂电保护芯片的带隙基准电路。

背景技术

近年来，PDA、DSC、Cellular Phone、Camcorde、Portable、Audio、Advanced Game、Assist Bicycle、Electric Scooter、Bluetooth Device等越来越多的产品急速的采用锂电池来当作它的主要电源，究其原因不外乎其体积小、能量密度高、无记忆效应、循环寿命高、电池电压高、自放电率低等优点。

但凡事都有两面性，正因为锂电池与镍镉、镍氢电池不太一样，锂电池能量密度高，在过度充电状态下，电池温度上升后能量将过剩，于是电解液分解而产生气体，因内压上升而导致有发火或破裂的危机；反之，在过度放电的状态下，电解液因分解导致电池特性劣化及充电次数降低，所以必须考虑充电、放电时的安全，确保特性劣化的防止。也正因为如此，针对锂电池的过充电、过放电、过流及短路的保护更显得重要，然而要保证各种保护功能的可靠性，其保护精度必须达到高的要求，因此对基准精度要求较高，兼顾电池供电的特性，还要满足低功耗、低工作电压的应用需求，延长电池的使用寿命。

现有的保护电路工作功耗大、精度相对较低，不能满足低功耗、低工作电压的应用需求。

现针对以上问题设计出一种双节锂电保护芯片的带隙基准电路。

发明内容

本发明的目的在于提供一种双节锂电保护芯片的带隙基准电路，具备自启动、低静态功耗、低工作电压的带隙基准电路；能够同时实现高精度带隙基准电压，与满足锂电保护低功耗，低工作电压的应用要求的优点，解决了带隙基准电压精度不高与锂电保护高功耗的问题。

为达到上述目的，本发明采用如下技术方案：一种双节锂电保护芯片的带隙基准电路，包括启动电路单元、低压差线性稳压器单元、运算放大器电路单元、带隙电路单元；

所述启动电路单元包括MP1、MP2、MP3三个PMOS管，MN1、MN2、MN3三个NMOS管，以及电容C1；

所述MP1与MN1的栅极均连接到VSS，MP1与MN1、MN2的漏极均与MP2、MN3的栅极控制连接，MN2栅极接基准跟随信号VREF0，MP2、MN3的漏极输出与MP3栅极控制连接，电容C1的一端与MN3的漏极相连接，另一端与MN3的源极、基极相连接，MP3的漏极与运算放大器电路单元的正向输入端VP相连；

低压差线性稳压器单元包括MP4、MP5、MP6、MP7、MP8五个PMOS管，MN4、MN5、MN6、MN7、MN8、MN9、MN10七个NMOS管，电阻R1，电容C2；

所述MP4、MP5连接成电流镜像负载，MN4、MN5为连接成差分对，MP4、MP5的栅极与MN4的漏极相连接，MN4的栅极连接VREF0，MP5的栅极连接VREF；

所述MN6的漏极与MN4、MN5控制连接，所述MN6的栅极连接VBIASN；

MP6漏极接电阻R1，MP6漏极通过电容C2与MP5、MN5、MN7的漏极相连接，所述MN7栅极与MP1、MN1漏极连接；