[发明专利]一种LED晶圆级无芯片衬底的封装工艺

权利要求书

1.一种LED晶圆级无芯片衬底的封装工艺，其特征在于，包括以下步骤，

步骤1：准备好要在固晶机上进行共晶工艺的封装支架；

步骤2：对衬底是为蓝宝石且其背面已经研磨和抛光工艺处理的LED晶圆片进行多次的上胶、曝光、显影、蚀刻、清洗、镀膜循环工艺后制作出倒装LED晶圆片（2），其中所述的倒装LED晶圆片（2）其尺寸、图像分布及支架底板的图形均需一一对应；

步骤3：通过定位孔将陶瓷电路板（1）与倒装LED晶圆片（2）相对齐地绑定，具体是两者的共晶面相贴合地进行绑定和加压；

步骤4：把相固定好的陶瓷电路板（1）与倒装LED晶圆片（2）在固晶机上的封装支架进行260°～350°的高温共晶后再冷却；

步骤5：继而使用激光剥离技术让蓝宝石脱离出倒装LED晶圆片（2），具体是通过块状形的激光光斑聚焦照射在倒装LED晶圆片（2）上蓝宝石与LED发光层的界面；

步骤6：使用比例为1～2.5：1的荧光粉与硅胶制成荧光膜置于LED发光层上，在此基础成型的荧光膜可选择加以封装胶水层；

步骤7：对封装支架上的多个倒装LED晶圆片（2）进行测试、切割、分选、编带来完成封装工艺；

其中所述陶瓷电路板（1）与倒装LED晶圆片（2）在共晶后其厚度范围应该50um～200um之间；

其中所述陶瓷电路板（1）需经过防焊、退膜刻蚀的工艺处理后才与倒装LED晶圆片（2）相绑定。

2.根据权利要求1所述的一种LED晶圆级无芯片衬底的封装工艺，其特征在于，所述步骤3中的陶瓷电路板（1）能是氧化铝陶瓷电路板或氮化铝陶瓷电路板，其厚度范围应在230um～800um之间。

3.根据权利要求1所述的一种LED晶圆级无芯片衬底的封装工艺，其特征在于，所述陶瓷电路板（1）及倒装LED晶圆片（2）上均需通过激光打孔成型出定位孔，其中陶瓷电路板（1）还成型有多个小孔与电流导通孔。

4.根据权利要求2所述的一种LED晶圆级无芯片衬底的封装工艺，其特征在于，所述陶瓷电路板（1）经过磁控溅射与化学沉铜工艺，并镀上有焊接层。

5.根据权利要求3所述的一种LED晶圆级无芯片衬底的封装工艺，其特征在于，所述陶瓷电路板（1）上的小孔通过电镀的方式进行填充。

6.根据权利要求1所述的一种LED晶圆级无芯片衬底的封装工艺，其特征在于，步骤2中所述的图形，其制作是经黄光室采用光刻板经上胶、曝光、显影、清洗技术实现。

7.根据权利要求2所述的一种LED晶圆级无芯片衬底的封装工艺，其特征在于，所述陶瓷电路板（1）在经退膜刻蚀工艺后是通过光刻板设计出的金属图形来判断共晶面与焊接面。

8.根据权利要求7所述的一种LED晶圆级无芯片衬底的封装工艺，其特征在于，所述陶瓷电路板（1）的光刻板尺寸需与陶瓷电路板（1）的底板尺寸相对应。

9.根据权利要求1所述的一种LED晶圆级无芯片衬底的封装工艺，其特征在于，步骤4所述的陶瓷电路板（1）与LED晶圆片在共晶后其正负电极用蚀刻道分开，而共晶层则是厚度为2-5um的AuSn合金。

10.根据权利要求1所述的一种LED晶圆级无芯片衬底的封装工艺，其特征在于，步骤6所述的荧光膜其比例与倒装LED晶圆片（2）的尺寸有关，具体是0.001克胶配以0.001~0.0025克荧光粉来对应55mil的倒装LED晶圆片（2）。