[发明专利]忆阻器-CMOS逻辑模块及因式分解超前进位加法器在审

专利信息
申请号: 202110623768.4 申请日: 2021-06-04
公开(公告)号: CN113314176A 公开(公告)日: 2021-08-27
发明(设计)人: 黄丽莲;朱耿雷;李文亚;史旭;刘帅 申请(专利权)人: 哈尔滨工程大学
主分类号: G11C13/00 分类号: G11C13/00;G06F7/503
代理公司: 暂无信息 代理人: 暂无信息
地址: 150001 黑龙江省哈尔滨市南岗区*** 国省代码: 黑龙江;23
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摘要:
搜索关键词: 忆阻器 cmos 逻辑 模块 因式分解 超前 进位 加法器
【权利要求书】:

1.一种忆阻器-CMOS逻辑模块,其特征在于:包括第一忆阻器U1、第二忆阻器U2、第三忆阻器U3、第四忆阻器U4、PMOS M1和NMOS M2;所述的第一忆阻器U1的非极性端与第三忆阻器U3的极性端串联,在端口连接处接输入脉冲A3;所述的第二忆阻器U2的非极性端与第四忆阻器U4的极性端串联,在端口连接处接输入脉冲B3;所述的PMOS M1和NMOS M2构成CMOS反相器的结构;所述的第三忆阻器U3的非极性端与第四忆阻器U4的非极性端相连之后输入到PMOS M1的D极;所述的第一忆阻器U1的极性端与第二忆阻器U2的极性端相连之后输入到CMOS反相器结构的G极,CMOS反相器输出P3,在第一忆阻器U1的极性端与第二忆阻器U2的极性端相连处引出输出G3

2.一种基于忆阻器-CMOS逻辑模块的因式分解超前进位加法器,其特征在于:包括三部分,第一部分产生进位传播和进位生成函数,第二部分完成进位的因式分解,第三部分完成进位和求和;所述的第一部分包括四组忆阻器-CMOS逻辑模块;所述的第二部分包括二十组忆阻器;所述的第三部分包括四组忆阻器-CMOS逻辑模块和十四组忆阻器。

3.根据权利要求2所述的一种基于忆阻器-CMOS逻辑模块的因式分解超前进位加法器,其特征在于:所述的第一部分包括第一组忆阻器-CMOS逻辑模块、第二组忆阻器-CMOS逻辑模块、第三组忆阻器-CMOS逻辑模块、第四组忆阻器-CMOS逻辑模块;

所述的第一组忆阻器-CMOS逻辑模块包括第一忆阻器U1、第二忆阻器U2、第三忆阻器U3、第四忆阻器U4、第一PMOS M1和第一NMOS M2;所述的第一忆阻器U1的非极性端与第三忆阻器U3的极性端串联,在端口连接处接输入脉冲A3;所述的第二忆阻器U2的非极性端与第四忆阻器U4的极性端串联,在端口连接处接输入脉冲B3;所述的第一PMOS M1和第一NMOS M2构成第一CMOS反相器的结构;所述的第三忆阻器U3的非极性端与第四忆阻器U4的非极性端相连之后输入到第一PMOS M1的D极;所述的第一忆阻器U1的极性端与第二忆阻器U2的极性端相连之后输入到第一CMOS反相器结构的G极,第一CMOS反相器的输出P3,在第一忆阻器U1的极性端与第二忆阻器U2的极性端相连处引出输出G3

所述的第二组忆阻器-CMOS逻辑模块包括第五忆阻器U5、第六忆阻器U6、第七忆阻器U7、第八忆阻器U8、第三PMOS M3和第四NMOS M4;所述的第五忆阻器U5的非极性端与第七忆阻器U7的极性端串联,在端口连接处接输入脉冲A2;所述的第六忆阻器U6的非极性端与第八忆阻器U8的极性端串联,在端口连接处接输入脉冲B2;所述的第三PMOS M3和第四NMOS M4构成第二CMOS反相器的结构;所述的第五忆阻器U5的非极性端与第六忆阻器U6的非极性端相连之后输入到第三PMOS M3的D极;所述的第七忆阻器U7的极性端与第八忆阻器U8的极性端相连之后输入到第二CMOS反相器结构的G极,第二CMOS反相器的输出P2,在第七忆阻器U7的极性端与第八忆阻器U8的极性端相连处引出输出G2

所述的第三组忆阻器-CMOS逻辑模块包括第九忆阻器U9、第十忆阻器U10、第十一忆阻器U11、第十二忆阻器U12、第五PMOS M5和第六NMOS M6;所述的第九忆阻器U9的非极性端与第十一忆阻器U11的极性端串联,在端口连接处接输入脉冲A1;所述的第十忆阻器U10的非极性端与第十二忆阻器U12的极性端串联,在端口连接处接输入脉冲B1;所述的第五PMOS M5和第六NMOS M6构成第三CMOS反相器的结构;所述的第十一忆阻器U11的非极性端与第十二忆阻器U12的非极性端相连之后输入到第五PMOS M5的D极;所述的第九忆阻器U9的极性端与第十忆阻器U10的极性端相连之后输入到第三CMOS反相器结构的G极,第三CMOS反相器的输出P1,在第九忆阻器U9的极性端与第十忆阻器U10的极性端相连处引出输出G1

所述的第四组忆阻器-CMOS逻辑模块包括第十三忆阻器U13、第十四忆阻器U14、第十五忆阻器U15、第十六忆阻器U16、第七PMOS M7和第八NMOS M8;所述的第十三忆阻器U13的非极性端与第十五忆阻器U15的极性端串联,在端口连接处接输入脉冲A0;所述的第十四忆阻器U14的非极性端与第十六忆阻器U16的极性端串联,在端口连接处接输入脉冲B0;所述的第七PMOSM7和第八NMOS M8构成第四CMOS反相器的结构;所述的第十五忆阻器U15的非极性端与第十六忆阻器U16的非极性端相连之后输入到第七PMOS M7的D极;所述的第十三忆阻器U13的极性端与第十四忆阻器U14的极性端相连之后输入到第四CMOS反相器结构的G极,第四CMOS反相器的输出P0,在第十三忆阻器U13的极性端与第十四忆阻器U14的极性端相连处引出输出G0

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