[发明专利]半导体结构及其制造方法

权利要求书

1.一种半导体结构，包括：

基板；

粘合层，设于所述基板上；

重布线层，设于所述粘合层上；

导通孔，贯穿所述重布线层和所述粘合层，所述重布线层与所述基板通过所述导通孔电性连接，所述导通孔的孔壁为非平整表面；

其中，所述重布线层包括介电层和金属层，邻近所述导通孔的介电层的上表面和下表面为非平整表面。

2.根据权利要求1所述的半导体结构，其中，所述导通孔包括自下而上设置的种子层和导电柱。

3.根据权利要求2所述的半导体结构，其中，所述导通孔还包括金属浸润层，所述种子层设于所述金属浸润层上。

4.根据权利要求3所述的半导体结构，其中，贯穿所述粘合层的导通孔在朝向所述基板的方向上先逐渐膨胀再逐渐收缩。

5.根据权利要求1-4任一项所述的半导体结构，其中，所述半导体结构还包括：

芯片，设于所述重布线层上；

底部填充材，包覆所述芯片以及填充所述芯片与所述重布线层之间的缝隙。

6.一种制造半导体基板的方法，包括：

提供基板；

在所述基板上设置粘合层；

在所述粘合层上设置重布线层；

提供第一模具，所述第一模具包括至少一个第一细柱体，所述第一细柱体的表面具有纳米研磨颗粒；

压入所述第一模具，所述第一模具依次穿过所述重布线层和所述粘合层；

移除所述第一模具，以定义出贯穿所述重布线层和所述粘合层的导通孔的预定位置；

提供第二模具，所述第二模具包括至少一个第二细柱体；

在所述第二细柱体上依次形成脱模层和种子层；

压入所述第二模具，加热以使所述第二模具从所述脱模层脱模，再移除所述脱模层以将所述种子层留于所述预定位置；

在所述种子层上填入导电材料以形成导电柱，得到电连接所述重布线层与所述基板的导通孔。

7.根据权利要求6所述的半导体方法，其中，在所述移除所述第一模具，以定义出贯穿所述重布线层和所述粘合层的导通孔的预定位置之后，所述方法还包括：

移除残留的粘合层，以使所述基板的焊垫露出。

8.根据权利要求6或7所述的半导体方法，其中，所述在所述第二细柱体上依次形成脱模层和种子层，包括：

在所述第二细柱体上依次形成脱模层、种子层以及金属浸润层；以及

所述再移除所述脱模层以将所述种子层留于所述预定位置，包括：

再移除所述脱模层以将所述金属浸润层和所述种子层留于所述预定位置。

9.一种制造半导体基板的方法，包括：

提供基板；

在所述基板上设置粘合层；

在所述粘合层上设置重布线层；

提供第二模具，所述第二模具包括至少一个第二细柱体；

在所述第二细柱体上依次形成脱模层和种子层；

压入所述第二模具，以定义出贯穿所述重布线层和所述粘合层的导通孔的预定位置；

加热以使所述第二模具从所述脱模层脱模，再移除所述脱模层以将所述种子层留于所述预定位置；

在所述种子层上填入导电材料以形成导电柱，得到电连接所述重布线层与所述基板的导通孔。

10.根据权利要求9所述的半导体方法，其中，所述在所述第二细柱体上依次形成脱模层和种子层，包括：

在所述第二细柱体上依次形成脱模层、种子层以及金属浸润层；以及

所述再移除所述脱模层以将所述种子层留于所述预定位置，包括：

再移除所述脱模层以将所述金属浸润层和所述种子层留于所述预定位置。