[发明专利]一种P型背接触式晶硅太阳能电池、制备方法及电池组件

权利要求书

1.一种P型背接触式晶硅太阳能电池，其特征在于，包括P型硅片，所述P型硅片的正面设置有钝化减反射层；

所述P型硅片的背面设置有P+掺杂区、N+掺杂区、背面钝化层、正电极及负电极，所述P+掺杂区与N+掺杂区交替间隔分布，所述背面钝化层覆盖所述P+掺杂区及所述N+掺杂区；

所述N+掺杂区包括设于所述P型硅片背面的隧穿氧化层、及设于所述隧穿氧化层之上的N+掺杂多晶硅，所述正电极与所述P+掺杂区形成欧姆接触，所述负电极与所述N+掺杂多晶硅形成欧姆接触；所述P型硅片背面对应所述负电极的位置设有绒面结构，所述负电极对应所述绒面结构的位置设有与所述N+掺杂多晶硅形成欧姆接触的粗糙纹理结构。

2.根据权利要求1所述的一种P型背接触式晶硅太阳能电池，其特征在于，所述绒面结构的宽度为80-200um。

3.根据权利要求1所述的一种P型背接触式晶硅太阳能电池，其特征在于，所述N+掺杂多晶硅的方阻为50-200Ω/sqr。

4.根据权利要求1所述的一种P型背接触式晶硅太阳能电池，其特征在于，所述P型硅片背面设置有与所述P+掺杂区的数量相对应的凹槽，每个所述P+掺杂区对应设置于一所述凹槽的底部。

5.根据权利要求4所述的一种P型背接触式晶硅太阳能电池，其特征在于，所述凹槽的底部设置有绒面，所述正电极设置于所述绒面上，且所述背面钝化层覆盖所述绒面。

6.根据权利要求4或5所述的一种P型背接触式晶硅太阳能电池，其特征在于，所述凹槽的宽度为300-600um，所述凹槽的深度为0.3-10um，相邻两个所述凹槽之间的距离为20-500um。

7.根据权利要求1所述的一种P型背接触式晶硅太阳能电池，其特征在于，所述隧穿氧化层的厚度为1-5nm。

8.根据权利要求1所述的一种P型背接触式晶硅太阳能电池，其特征在于，所述钝化减反射层和所述背面钝化层分别为氧化铝膜、氮化硅膜、氮氧化硅膜的一种或多种组合。

9.一种P型背接触式晶硅太阳能电池的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：

抛光：选用P型硅片，并将P型硅片进行抛光处理；

第一次制绒：在所述P型硅片的背面对应制备负电极的位置进行制绒形成绒面结构；

制备隧穿氧化层：在所述P型硅片的背面制备隧穿氧化层；

制备N+掺杂多晶硅：在所述P型硅片的背面制备N+掺杂多晶硅；

第二次制绒：在所述P型硅片的正面进行制绒形成绒面；

制备钝化减反射层和背面钝化层：在所述P型硅片的正面制备钝化减反射层，在所述P型硅片的背面制备背面钝化层；

激光开槽：在所述P型硅片的背面对应制备正电极的位置进行激光开槽，以露出P型硅片；

正、负电极印刷烧结：在所述P型硅片背面的第一次制绒位置使用银浆料印刷负电极，在所述P型硅片背面的激光开槽位置使用铝浆料印刷正电极，并烧结烘干，以使所述正电极与所述P型硅片之间形成P+掺杂区，所述负电极形成与所述N+掺杂多晶硅形成欧姆接触的粗糙纹理结构。

10.根据权利要求9所述的一种P型背接触式晶硅太阳能电池的制备方法，其特征在于，所述将P型硅片进行抛光处理具体包括：

使用浓度为1.5-15％的碱溶液对所述P型硅片进行抛光，抛光后的所述P型硅片的反射率控制在38％-45％。

11.根据权利要求9所述的一种P型背接触式晶硅太阳能电池的制备方法，其特征在于，所述第一次制绒的步骤包括：

在所述P型硅片背面制备掩膜；

在所述P型硅片背面对应制备负电极的位置进行激光消融刻蚀掩膜，以露出所述P型硅片；

在所述P型硅片背面的激光消融区域制绒形成绒面结构，并通过酸洗去除非激光消融区域的掩膜。