[发明专利]一种P型背接触式晶硅太阳能电池、制备方法及电池组件

说明书

本发明适用太阳能电池加工技术领域，提供了一种P型背接触式晶硅太阳能电池、制备方法及电池组件，该P型背接触式晶硅太阳能电池包括P型硅片，P型硅片的正面设置有钝化减反射层；硅片基底的背面设置有P+掺杂区、N+掺杂区、背面钝化层、正电极及负电极，P+掺杂区与N+掺杂区交替间隔分布；N+掺杂区包括设于P型硅片背面的隧穿氧化层、及设于隧穿氧化层之上的N+掺杂多晶硅；P型硅片背面对应负电极的位置设有绒面结构，负电极对应绒面结构的位置设有与N+掺杂多晶硅形成欧姆接触的粗糙纹理结构。本发明提供的P型背接触式晶硅太阳能电池可以有效改善负电极与N+掺杂多晶硅的欧姆接触，提升电池效率，且实现方式简单，实现成本低。

技术领域

本发明涉及太阳能电池加工技术领域，具体涉及一种P型背接触式晶硅太阳能电池、制备方法及电池组件。

背景技术

目前，随着化石能源的逐渐耗尽，太阳能电池作为新的能源替代方案，使用越来越广泛。太阳能电池是将太阳的光能转换为电能的装置。太阳能电池利用光生伏特原理产生载流子，然后使用电极将载流子引出，从而利于将电能有效利用。其中，P型背接触式的晶硅太阳能电池通常包括P型硅片，P型硅片的正面设置有钝化减反射层，P型硅片的背面设置有隧穿氧化层、设置于隧穿氧化层之上的N+掺杂多晶硅、设置于P型硅片的背面并与N+掺杂多晶硅交替分布的P+掺杂区及覆盖N+掺杂多晶硅的背面钝化层，且N+掺杂多晶硅设置有负电极，P+掺杂区设置有正电极。

现有技术中，由于P型背接触式晶硅太阳能电池在隧穿氧化层制备之前都需要进行抛光处理，P型硅片的背面对应负电极的位置通过抛光面与隧穿氧化层接触，这样在隧穿氧化层之上制备的N+掺杂多晶硅及在N+掺杂多晶硅上制备的背面钝化层后均为平面结构，印刷烧结得到的负电极后与N+掺杂多晶硅通过平面接触实现欧姆接触，负电极与N+掺杂多晶硅之间欧姆接触效果差，从而影响电池效率。

发明内容

本发明提供一种P型背接触式晶硅太阳能电池，旨在解决现有技术中的P 型背接触式晶硅太阳能电池的负电极与N+掺杂多晶硅之间欧姆接触效果差，从而影响电池效率的问题。

本发明是这样实现的，提供一种P型背接触式晶硅太阳能电池，包括P型硅片，所述P型硅片的正面设置有钝化减反射层；

所述P型硅片的背面设置有P+掺杂区、N+掺杂区、背面钝化层、正电极及负电极，所述P+掺杂区与N+掺杂区交替间隔分布，所述背面钝化层覆盖所述P+掺杂区及所述N+掺杂区；

所述N+掺杂区包括设于所述P型硅片背面的隧穿氧化层、及设于所述隧穿氧化层之上的N+掺杂多晶硅，所述正电极与所述P+掺杂区形成欧姆接触，所述负电极与所述N+掺杂多晶硅形成欧姆接触；所述P型硅片背面对应所述负电极的位置设有绒面结构，所述负电极对应所述绒面结构的位置设有与所述 N+掺杂多晶硅形成欧姆接触的粗糙纹理结构。

优选的，所述绒面结构的宽度为80-200um。

优选的，所述N+掺杂多晶硅的方阻为50-200Ω/sqr。

优选的，所述P型硅片背面设置有与所述P+掺杂区的数量相对应的凹槽，每个所述P+掺杂区对应设置于一所述凹槽的底部。

优选的，所述凹槽的底部设置有绒面，所述正电极设置于所述绒面上，且所述背面钝化层覆盖所述绒面。

优选的，所述凹槽的宽度为300-600um，所述凹槽的深度为0.3-10um，相邻两个所述凹槽之间的距离为20-500um。

优选的，所述隧穿氧化层的厚度为1-5nm。

优选的，所述钝化减反射层和所述背面钝化层分别为氧化铝膜、氮化硅膜、氮氧化硅膜的一种或多种组合。

本发明还提供一种P型背接触式晶硅太阳能电池的制备方法，包括以下步骤：

抛光：选用P型硅片，并将P型硅片进行抛光处理；