[发明专利]一种用于红外理疗仪的高精度温控电路

权利要求书

1.一种用于红外理疗仪的高精度温控电路，其特征在于：包括控制单元，所述控制单元接入用于检测电网过零点的过零检测模块，所述控制单元接入用于检测加热装置工作温度的测温模块，所述控制单元连接用于驱动光电可控硅的光电可控硅驱动模块，所述光电可控硅驱动模块连接用于根据光电可控硅工作状态控制加热装置工作状态的双向可控硅功率控制模块；

所述控制单元基于过零检测模块、测温模块的检测信号调节输出信号的占空比，改变双向可控硅功率控制模块中双向可控硅的导通角。

2.根据权利要求1所述的用于红外理疗仪的高精度温控电路，其特征在于：所述过零检测模块包括交流双向光耦T2，所述交流双向光耦T2的输入端接入第一低通滤波电路，所述交流双向光耦T2的输出端通过上拉电阻R14、第二低通滤波电路连接控制单元。

3.根据权利要求2所述的用于红外理疗仪的高精度温控电路，其特征在于：所述第一低通滤波电路包括分别接入交流双向光耦T2输入端的电阻R15、R17，以及并联于交流双向光耦T2输入端之间的电容CY1；所述第二低通滤波电路包括电阻R16、电容C7。

4.根据权利要求2所述的用于红外理疗仪的高精度温控电路，其特征在于：所述测温模块包括仪表放大器U2，所述仪表放大器U2的输入端通过惠斯通电桥接入铂热电阻，所述仪表放大器U2上连接有电阻R6，所述仪表放大器U2的输出端通过限流电阻R18连接控制单元。

5.根据权利要求4所述的用于红外理疗仪的高精度温控电路，其特征在于：所述惠斯通电桥包括电阻R8、R9、R13，以及铂热电阻。

6.根据权利要求4所述的用于红外理疗仪的高精度温控电路，其特征在于：所述光电可控硅驱动模块包括输入端接入控制单元的光电可控硅U1，所述光电可控硅U1的输出端通过过流保护电路、滤波电容C4连接双向可控硅功率控制模块，所述光电可控硅U1的输出端与滤波电容C4之间并联有防误触发电路。

7.根据权利要求6所述的用于红外理疗仪的高精度温控电路，其特征在于：所述过流保护电路包括串联的电阻R2、R3、R4、R5，所述防误触发电路包括串联的电阻R11、R12。

8.根据权利要求6所述的用于红外理疗仪的高精度温控电路，其特征在于：所述双向可控硅功率控制模块包括双向可控硅T1，所述双向可控硅T1的G极接入光电可控硅U1的输出端，所述双向可控硅T1的MT1极接入滤波电容C4，所述双向可控硅T1的MT2极接入过流保护电路，所述双向可控硅T1连接加热装置。

9.根据权利要求8所述的用于红外理疗仪的高精度温控电路，其特征在于：所述双向可控硅T1的MT1极、MT2极之间并联有尖峰吸收电路，所述尖峰吸收电路包括串联的电阻R7、电容C5。