[发明专利]红黄光发光二极管芯片及其制备方法

权利要求书

1.一种红黄光发光二极管芯片，其特征在于，所述红黄光发光二极管芯片包括：衬底、n型层(20)、多量子阱层(30)、p型层(40)、第一透明导电层(51)、钝化层(52)、第二透明导电层(53)、p型电极(61)和n型电极(62)；

所述n型层(20)、所述多量子阱层(30)、所述p型层(40)和所述第一透明导电层(51)依次层叠设置在所述衬底上，所述第一透明导电层(51)的边缘具有露出所述n型层(20)的凹槽(A)，所述n型电极(62)位于所述n型层(20)表面，且位于所述凹槽(A)的底部；

所述钝化层(52)覆盖在所述第一透明导电层(51)和所述凹槽(A)的表面，所述钝化层(52)位于所述第一透明导电层(51)上的部分设有开口(521)；

所述第二透明导电层(53)层叠于所述钝化层(52)和所述第一透明导电层(51)上，且部分位于所述凹槽(A)中，所述第二透明导电层(53)通过所述开口(521)与所述第一透明导电层(51)电连接，所述p型电极(61)设置在所述第二透明导电层(53)上，且所述p型电极(61)位于所述凹槽(A)内。

2.根据权利要求1所述的红黄光发光二极管芯片，其特征在于，所述第一透明导电层(51)在所述衬底上的正投影与所述p型层(40)在所述衬底上的正投影重合。

3.根据权利要求2所述的红黄光发光二极管芯片，其特征在于，所述第二透明导电层(53)包括相连的连接区域(531)和延展区域(532)，所述连接区域(531)位于所述第一透明导电层(51)的上方且通过所述开口(521)与所述第一透明导电层(51)电连接；

所述延展区域(532)位于所述凹槽(A)中，所述p型电极(61)位于所述延展区域(532)。

4.根据权利要求3所述的红黄光发光二极管芯片，其特征在于，所述第一透明导电层(51)和所述第二透明导电层(53)均为氧化铟锡膜层。

5.根据权利要求1至4任一项所述的红黄光发光二极管芯片，其特征在于，所述p型电极(61)和所述n型电极(62)均呈条状；

所述p型电极(61)沿平行于所述第二透明导电层(53)的方向从所述第二透明导电层(53)的第一侧边延伸至所述第二透明导电层(53)的第二侧边，所述第一侧边和所述第二侧边为所述第二透明导电层(53)上相对的两侧边；

所述n型电极(62)沿平行于所述n型层(20)的方向从所述n型层(20)的第三侧边延伸至所述n型层(20)的第四侧边，所述第三侧边和所述第四侧边为所述n型层(20)上相对的两侧边。

6.根据权利要求1至4任一项所述的红黄光发光二极管芯片，其特征在于，所述红黄光发光二极管芯片还包括反射层(70)，所述反射层(70)位于所述衬底和所述n型层(20)之间。

7.根据权利要求6所述的红黄光发光二极管芯片，其特征在于，所述反射层(70)包括依次层叠在所述衬底上的第一Au层(701)和第二Au层(702)。

8.一种红黄光发光二极管芯片的制备方法，其特征在于，所述制备方法包括：

提供一衬底；

在所述衬底上依次生长n型层、多量子阱层、p型层、第一透明导电层、钝化层和第二透明导电层，所述第一透明导电层的边缘具有露出所述n型层的凹槽；

在所述第二透明导电层上形成p型电极，在所述n型层表面形成n型电极，所述n型电极位于所述凹槽的底部，所述钝化层覆盖在所述第一透明导电层和所述凹槽的表面，所述钝化层位于所述第一透明导电层上的部分设有开口；所述第二透明导电层层叠于所述钝化层和所述第一透明导电层上，且部分位于所述凹槽中，所述第二透明导电层通过所述开口与所述第一透明导电层电连接，所述p型电极设置在所述第二透明导电层上，且所述p型电极位于所述凹槽内。