[发明专利]红黄光发光二极管芯片及其制备方法

说明书

本公开提供了一种红黄光发光二极管芯片及其制备方法。该红黄光发光二极管芯片中n型层、多量子阱层、p型层和第一透明导电层依次层叠设置在衬底上，第一透明导电层的边缘具有露出n型层的凹槽，n型电极位于n型层表面，且位于凹槽的底部；钝化层覆盖在第一透明导电层和凹槽的表面，钝化层位于第一透明导电层上的区域设有开口；第二透明导电层层叠于钝化层和第一透明导电层上，且部分位于凹槽中，第二透明导电层通过开口与第一透明导电层电连接，p型电极设置在第二透明导电层上，且p型电极位于凹槽内。本公开实施例能够缩减p型层中载流子的流动路径，提高红黄光发光二极管芯片的注入效率，且改善发光二极管的发光效率。

技术领域

本公开涉及光电子制造技术领域，特别涉及一种红黄光发光二极管芯片及其制备方法。

背景技术

发光二极管(英文：Light Emitting Diode，简称：LED)作为光电子产业中极具影响力的新产品，具有体积小、使用寿命长、颜色丰富多彩、能耗低等特点，广泛应用于照明、显示屏、信号灯、背光源、玩具等领域。LED的核心结构是红黄光发光二极管芯片，红黄光发光二极管芯片的制作对LED的光电特性有着较大的影响。

红黄光发光二极管芯片通常包括依次层叠的衬底、p型层、多量子阱层、n型层，以及分别与p型层和n型层连接的p型电极和n型电极。其中，n型电极位于n型层上方，p型电极位于衬底下方。相关技术中，通常会对于位于p型层上方的各膜层进行刻蚀，以将p型电极设置也在p型层上方，这样就使得n型电极和p型电极位于红黄光发光二极管芯片的同侧，以方便连接。

然而，该种p型电极的设置方式，在红黄光发光二极管芯片通电后，载流子需要从p型电极向下注入到p型层内，进入p型层后则需要再向上注入至多量子阱层，即这种p型电极的设置方式使载流子的流动路径更长，而载流子在p型层中的迁移速度较慢，因此该种红黄光发光二极管芯片的注入效率较低；同时，n型电极位于n型层上方，也会影响出光效果。也即相关技术中两个电极的布置方式导致发光二极管的发光效率较低。

发明内容

本公开实施例提供了一种红黄光发光二极管芯片及其制备方法，能够缩减p型层中载流子的流动路径，提高红黄光发光二极管芯片的注入效率，且改善发光二极管的发光效率。所述技术方案如下：

一方面，本公开实施例提供了一种红黄光发光二极管芯片，所述红黄光发光二极管芯片包括：衬底、n型层、多量子阱层、p型层、第一透明导电层、钝化层、第二透明导电层、p型电极和n型电极；所述n型层、所述多量子阱层、所述p型层和所述第一透明导电层依次层叠设置在所述衬底上，所述第一透明导电层的边缘具有露出所述n型层的凹槽，所述n型电极位于所述n型层表面，且位于所述凹槽的底部；所述钝化层覆盖在所述第一透明导电层和所述凹槽的表面，所述钝化层位于所述第一透明导电层上的部分设有开口；所述第二透明导电层层叠于所述钝化层和所述第一透明导电层上，且部分位于所述凹槽中，所述第二透明导电层通过所述开口与所述第一透明导电层电连接，所述p型电极设置在所述第二透明导电层上，且所述p型电极位于所述凹槽内。

可选地，所述第一透明导电层在所述衬底上的正投影与所述p型层在所述衬底上的正投影重合。

可选地，所述第二透明导电层包括相连的连接区域和延展区域，所述连接区域位于所述第一透明导电层的上方且通过所述开口与所述第一透明导电层电连接；所述延展区域位于所述凹槽中，所述p型电极位于所述延展区域。

可选地，所述第一透明导电层和所述第二透明导电层均为氧化铟锡膜层。

可选地，所述p型电极和所述n型电极均呈条状；所述p型电极沿平行于所述第二透明导电层的方向从所述第二透明导电层的第一侧边延伸至所述第二透明导电层的第二侧边，所述第一侧边和所述第二侧边为所述第二透明导电层上相对的两侧边；所述n型电极沿平行于所述n型层的方向从所述n型层的第三侧边延伸至所述n型层的第四侧边，所述第三侧边和所述第四侧边为所述n型层上相对的两侧边。