[发明专利]半桥电路性能测试系统及方法有效
申请号: | 202110631861.X | 申请日: | 2021-06-07 |
公开(公告)号: | CN113295989B | 公开(公告)日: | 2023-06-16 |
发明(设计)人: | 李祥;周建宇;黄少海;党代表 | 申请(专利权)人: | 苏州市运泰利自动化设备有限公司 |
主分类号: | G01R31/3163 | 分类号: | G01R31/3163 |
代理公司: | 广州市越秀区哲力专利商标事务所(普通合伙) 44288 | 代理人: | 王忠浩 |
地址: | 215000 江苏省苏州市*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 电路 性能 测试 系统 方法 | ||
1.一种半桥电路性能测试系统,包括用于接入信号的信号输入单元、用于将待测信号切入不同测试单元的继电器矩阵单元、用于测试半桥电路输出波形峰值的峰值测试单元、用于测试半桥电路输出波形频率的频率测试单元、用于切换功率电阻与半桥MOS管连接方式的功率电阻切换单元、网口通信单元、用于建立并联电路的功率电阻、控制端,其特征在于:
所述继电器矩阵单元分别与所述信号输入单元、峰值测试单元、频率测试单元、功率电阻切换单元、网口通信单元连接,所述峰值测试单元、频率测试单元、功率电阻切换单元分别与所述网口通信单元连接,所述控制端分别与所述峰值测试单元、频率测试单元、网口通信单元连接,所述功率电阻切换单元根据半桥电路的上MOS管或下MOS管的电阻的导通状态,控制所述功率电阻与上MOS管或下MOS管并联,所述半桥电路性能测试系统还包括电阻测量单元,所述电阻测量单元与所述功率电阻切换单元连接并测量所述功率电阻切换单元中的电阻值,所述半桥电路性能测试系统还包括电源单元,所述电源单元分别与所述继电器矩阵单元、峰值测试单元、频率测试单元、功率电阻切换单元、网口通信单元连接。
2.一种半桥电路性能测试方法,应用于权利要求1所述的半桥电路性能测试系统,其特征在于,包括以下步骤:
初始检测步骤:检测功率电阻切换单元中的电阻阻值,使半桥电路处于工作状态,峰值测试单元检测并生成半桥电路的输出波形的峰值,设定半桥电路的输出波形的峰值为V1,电阻切换单元中的电阻阻值为R;检测半桥电路的工作状态是否正常,若是,峰值测试单元检测进行测量,若否,发送错误信号至控制端;
初始并联步骤:将功率电阻与半桥电路上的下MOS管并联;
关闭检测步骤:检测半桥电路上的下MOS管是否处于关闭状态,若是进行下一步;
开启检测步骤:检测半桥电路上的上MOS管是否处于打开状态,若是进行下一步;
波形峰值测量步骤:半桥电路上的上MOS管与功率电阻串联进行分压,频率测试单元运作并生成半桥电路的输出波形峰值V2;
上MOS阻值测量步骤:控制端进行数据分析,根据公式[(V1-V2)/V2]*R计算出上MOS管的导通电阻R1;
并联更改步骤:将功率电阻从下MOS管去下,将功率电阻与半桥电路上的上MOS管并联;
二次检测步骤:检测半桥电路上的上MOS管是否处于关闭状态且下MOS管是否处于打开状态,若是,发送确认信号至控制端,若否,发送错误信号至控制端;峰值二次测量步骤:半桥电路上的下MOS管与功率电阻串联进行分压,频率测试单元运作并生成半桥电路的输出波形峰值V3;
下MOS阻值测量步骤:根据公式[V3/(V1-V3)]*R计算出上MOS管的导通电阻R2。
3.如权利要求2所述的半桥电路性能测试方法,其特征在于,还包括数据汇总步骤:控制端汇总测量信息并生成信息汇总表格。
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