[发明专利]半导体装置的制造方法

权利要求书

1.一种半导体装置的制造方法，该半导体装置包括：

第一基板，其中所述第一基板具备第一面及与第一面相对的第二面；

在第一基板形成从第一面侧朝向第二面侧的槽；

在槽形成导电部；及

半导体发光芯片，其结合到第一基板，

该制造方法包括：

将由蓝宝石制成的第二基板通过由光反应材料制成的粘结层粘结到第一基板的第一面，第一基板由陶瓷基板、Al₂O₃结晶基板、AlN结晶基板、HTCC、LTCC、Al₂O₃混合物或陶瓷、Al₂O₃-ZrO₂混合物或陶瓷、AlN混合物或陶瓷构成；

将包括所述半导体发光芯片的多个半导体发光芯片接合到所述第一基板的第二面，所述半导体发光芯片与所述导电部电连接，所述半导体发光芯片与所述半导体发光芯片电连接，所述半导体发光芯片具有由Al₂O₃制成的第三基板，其中，所述第二基板相对于所述第一基板位于所述多个半导体发光芯片的对面；

通过光学方法去除粘结层，将第二基板与第一基板分离；

以包括所述半导体发光芯片的方式切断第一基板

其中，第三基板和第一基板的热膨胀系数之差为2ppm以下。

2.根据权利要求1所述的半导体装置的制造方法，其特征在于，

所述第一基板为透光性基板。

3.根据权利要求1所述的半导体装置的制造方法，其特征在于，

所述第一基板包括AlN。

4.根据权利要求1所述的半导体装置的制造方法，其特征在于，

第一基板具备第一面与第二面连接的侧面，在侧面形成有与第一面及第二面分开且因通过激光照射所产生的裂纹而形成的粗糙表面。