[发明专利]半导体装置的制造方法

说明书

本公开涉及半导体装置的制造方法，半导体元件用支承基板的制造方法的特征在于，包括如下步骤：准备第一基板，该第一基板具备第一面及与第一面相对的第二面；在第一基板形成从第一面侧朝向第二面侧的槽；在槽形成导电部；在第一面侧，将第二基板结合到第一基板；及在第二面侧以与导电部导通的方式形成第一导电焊盘。

本申请是申请日为2015年10月22日，申请号为201580063313.4(PCT/KR2015/011193)，发明名称为“半导体元件用支承基板、包括该基板的半导体装置及其制造方法”的发明专利申请的分案申请。

技术领域

本公开(Disclosure)在整体上涉及半导体元件用支承基板、包括该基板的半导体装置及其制造方法(SUPPORTING SUBSTRATE FOR SEMICONDUCTOR DEVICE，SEMICONDUCTORAPPARATUS WITH THE SAME AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME)，特别地，涉及能够防止半导体元件的裂开或破碎的半导体元件用支承基板、包括该基板的半导体装置及其制造方法。在此，半导体元件表示利用pn结的半导体元件，可例举半导体光元件(例如：半导体发光元件，半导体受光元件)。另外，半导体发光元件表示通过电子和空穴的复合而生成光的半导体光元件，可例举III族氮化物半导体发光元件。III族氮化物半导体由以Al(x)Ga(y)In(1-x-y)N(0≤x≤1，0≤y≤1，0≤x+y≤1)构成的化合物构成。此外，还可例举用于发出红色光的GaAs类半导体发光元件等。

背景技术

在此，提供关于本公开的背景技术，但它并不一定表示公知技术(This sectionprovides background information related to the present disclosure which isnot nece ssarily prior art)。

图1是示出美国注册专利公报第7,262,436号中所公开的半导体发光元件芯片的一例的图，半导体发光元件芯片包括：衬底(100)；在衬底(100)上生长的n型半导体层(300)；在n型半导体层(300)上生长的有源层(400)；在有源层(400)上生长的p型半导体层(500)；在p型半导体层(500)上形成且用于向衬底(100)侧反射光的由3层构成的电极(901，902，903)；及在通过蚀刻而露出的第一半导体层(300)上实现焊盘的功能的电极(800)。电极(901)实现反射膜的功能，电极(902)实现阻挡层(barrier)的功能，电极(903)执行顺利实现与外部电极接合的功能。这样的形态的半导体发光元件芯片是电极(800)及电极(903)直接连接于SMD型封装体、PCB(Printed Circuit Board：印刷电路板)、COB(Chip-onBoard：板上芯片)、次黏着基台等(不通过引线接合)的形态，将此称为倒装芯片(FlipChip)。

图2是示出日本公开专利公报第2006-120913号中所公开的半导体发光元件芯片的一例的图，半导体发光元件芯片包括：衬底(100)；在衬底(100)上生长的缓冲层(200)；在缓冲层(200)上生长的n型半导体层(300)；在n型半导体层(300)上生长的有源层(400)；在有源层(400)上生长的p型半导体层(500)；在p型半导体层(500)上形成且实现电流扩散功能的透光性导电膜(600)；在透光性导电膜(600)上形成的p侧焊盘(700)；及形成在通过蚀刻而露出的n型半导体层(300)上的n侧焊盘(800)。并且，在透光性导电膜(600)上具备分布布拉格反射器(900；DBR：Distributed Bragg Reflector)和金属反射膜(904)。n型半导体层(300)和p型半导体层(500)分别由多个层构成，虽然不优选，但是缓冲层(200)和透光性导电膜(600)可被省略，n型半导体层(300)和p型半导体层(500)的位置可互换。