[发明专利]半导体器件及其制造方法及包括该器件的电子设备

权利要求书

1.一种半导体器件，包括：

在衬底上实质上沿竖直方向延伸的有源区；

绕所述有源区在竖直方向上的中间段的至少部分外周形成的栅堆叠，其中所述有源区包括与所述栅堆叠相对的沟道区以及分别在所述沟道区在竖直方向上的相对两侧的第一源/漏区和第二源/漏区，其中，所述栅堆叠包括栅介质层、功函数调节层以及栅电极材料层，所述功函数调节层介于所述栅电极材料层与所述沟道区之间；以及

第一低k介质层，从所述功函数调节层的第一端延伸以围绕所述栅电极材料层靠近所述沟道区一侧的端部的第一拐角。

2.根据权利要求1所述的半导体器件，还包括：

第二低k介质层，从所述功函数调节层的与所述第一端相对的第二端延伸以围绕所述栅电极材料层的所述端部的与所述第一拐角相对的第二拐角。

3.根据权利要求2所述的半导体器件，其中，所述第一低k介质层和所述第二低k介质层分别延伸以围绕所述有源区与所述栅堆叠相对的角部。

4.根据权利要求3所述的半导体器件，其中，

所述第一低k介质层包括：

实质上在横向上延伸的第一部分；

在所述第一部分与所述功函数调节层的第一端之间延伸的第二部分；以及

在与所述第二部分相反的一侧从所述第一部分延伸的第三部分，

其中，所述第一部分与所述第二部分所成的角围绕所述栅电极材料层的所述端部的第一拐角，所述第一部分与所述第三部分所成的角围绕所述有源区与所述栅堆叠相对的角部，以及

所述第二低k介质层包括：

实质上在横向上延伸的第一部分；

在所述第一部分与所述功函数调节层的第二端之间延伸的第二部分；以及

在与所述第二部分相反的一侧从所述第一部分延伸的第三部分，

其中，所述第一部分与所述第二部分所成的角围绕所述栅电极材料层的所述端部的第二拐角，所述第一部分与所述第三部分所成的角围绕所述有源区与所述栅堆叠相对的角部。

5.根据权利要求2所述的半导体器件，其中，所述栅电极材料层的所述端部包括上部的第一表面、下部的第二表面以及面向所述沟道区的第三表面，

所述功函数调节层在所述第三表面上延伸。

6.根据权利要求5所述的半导体器件，其中，所述第一低k介质层在所述第一表面上延伸，并延伸到所述第三表面上以与所述功函数调节层的第一端相接，所述第二低k介质层在所述第二表面上延伸，并延伸到所述第三表面上以与所述功函数调节层的第二端相接。

7.根据权利要求6所述的半导体器件，其中，所述第一低k介质层在所述第三表面上的延伸长度与所述第二低k介质层在所述第三表面上的延伸长度实质上相等。

8.根据权利要求6所述的半导体器件，其中，所述第一低k介质层在所述第一表面和所述第三表面上延伸的部分的厚度以及所述第二低k介质层在所述第一表面和所述第三表面上延伸的部分的厚度与所述功函数调节层的厚度实质上相等。

9.根据权利要求6所述的半导体器件，其中，所述第一低k介质层在所述第三表面上延伸的部分以及所述第二低k介质层在所述第三表面上延伸的部分与所述功函数调节层实质上共面。

10.根据权利要求2所述的半导体器件，还包括：

第一介质层，从所述第一低k介质层的在所述功函数调节层的第一端相反一侧的端部延伸以围绕所述有源区与所述栅堆叠相对的角部；以及

第二介质层，从所述第二低k介质层的在所述功函数调节层的第二端相反一侧的端部延伸以围绕所述有源区与所述栅堆叠相对的角部。

11.根据权利要求10所述的半导体器件，其中，所述第一低k介质层和所述第二低k介质层包括第一介质材料，所述第一介质层和所述第二介质层包括不同于所述第一介质材料的第二介质材料。