[发明专利]一种强微腔器件叠层阳极的制备方法有效

专利信息
申请号: 202110636299.X 申请日: 2021-06-08
公开(公告)号: CN113380967B 公开(公告)日: 2023-04-07
发明(设计)人: 曹贺;刘晓佳;吕迅;刘胜芳;赵铮涛;潘倩倩 申请(专利权)人: 安徽熙泰智能科技有限公司
主分类号: H10K71/60 分类号: H10K71/60;H10K50/816
代理公司: 芜湖安汇知识产权代理有限公司 34107 代理人: 马荣
地址: 241000 安徽省芜湖市芜湖长江*** 国省代码: 安徽;34
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摘要:
搜索关键词: 一种 强微腔 器件 阳极 制备 方法
【权利要求书】:

1.一种微腔器件叠层阳极的制备方法,其特征在于:所述的微腔器件叠层阳极的制备方法的步骤为:

S1.金属反射层及B阳极成膜;

S2.B-HM制备;B-HM制备时,对完成B阳极工艺的晶圆进行PECVD成膜工艺,选择SiO或SiN膜层,膜层厚度选择3000A~4000A;

S3.G-阳极制备;

S4.G-HM制备;

S5.R-阳极制备;

通过硬掩膜保护,避免在制备过程中对像素阳极的损伤,完成对叠层阳极的制备;

S6.HM去除,完成叠层阳极制备;

HM去除时,对完成R-阳极制备的晶圆进行干法刻蚀,利用刻蚀SiO/SiN对ITO选择比高的特性,去除硬掩膜;

对完成CMOS工艺的硅片进行清洗烘烤作业,去除表面脏污,清洗液选用纯水,完成清洗烘烤的晶圆进行PVD成膜作业,金属反射层选用Al;阳极选用功函数高的透明导电氧化物薄膜ITO或IZO;

对完成B阳极工艺的晶圆进行PECVD成膜工艺,选择SiO或SiN膜层,对完成PECVD成膜的晶圆进行黄光作业,曝光显影后,定义出B-HM图形,B-HM图形大小与所需B阳极线宽大小相同;对完成黄光作业的晶圆进行干法刻蚀及去胶作业,完成B-HM制备;

G-阳极制备时,对完成B-HM制备的晶圆进行PVD成膜作业,膜层选用功函数高的透明导电氧化物薄膜ITO或IZO;

完成PVD成膜后进行黄光作业,曝光显影后,待刻蚀区域为B阳极的子像素区域,宽度为B阳极的线宽+线距;对完成黄光作业的晶圆进行干法刻蚀及去胶作业,完成G-阳极制备;

对完成G阳极工艺的晶圆进行PECVD成膜工艺,选择SiO或SiN膜层;

对完成PECVD成膜的晶圆进行黄光作业,曝光显影后,定义出G-HM图形,G-HM图形大小与所需G阳极线宽大小相同;对完成黄光作业的晶圆进行干法刻蚀及去胶作业,完成G-HM制备;

R-阳极制备时,对完成G-HM制备的晶圆进行PVD成膜作业,膜层选用功函数高的透明导电氧化物薄膜ITO或IZO;

完成PVD成膜后进行黄光作业,曝光显影后,定义出R-阳极图形,R-阳极图形大小与所需R阳极线宽大小相同;对完成黄光作业的晶圆进行干法刻蚀及去胶作业,完成R-阳极制备。

2.根据权利要求1所述的微腔器件叠层阳极的制备方法,其特征在于:对完成CMOS工艺的硅片进行清洗烘烤作业时,烘烤温度选择90℃~120℃,5min~10min,金属反射层选用Al时,金属反射层厚度600A~1500A;阳极选用功函数高的透明导电氧化物薄膜ITO或IZO时,薄膜厚度选择100A~160A。

3.根据权利要求1或2所述的微腔器件叠层阳极的制备方法,其特征在于:对完成B阳极工艺的晶圆进行PECVD成膜工艺,选择SiO或SiN膜层时,膜层厚度选择3000A~4000A,对完成PECVD成膜的晶圆进行黄光作业时,涂布光刻胶厚度选择0.5um~0.6um。

4.根据权利要求1或2所述的微腔器件叠层阳极的制备方法,其特征在于:膜层选用功函数高的透明导电氧化物薄膜ITO或IZO时,薄膜厚度选择550A~650A。

5.根据权利要求4所述的微腔器件叠层阳极的制备方法,其特征在于:完成PVD成膜后进行黄光作业时,涂布光刻胶厚选择0.5um~0.6um。

6.根据权利要求1或2所述的微腔器件叠层阳极的制备方法,其特征在于:对完成G阳极工艺的晶圆进行PECVD成膜工艺,选择SiO或SiN膜层时,膜层厚度选择2000A~3000A。

7.根据权利要求6所述的微腔器件叠层阳极的制备方法,其特征在于:对完成PECVD成膜的晶圆进行黄光作业时,涂布光刻胶厚度选择0.5um~0.6um。

8.根据权利要求1或2所述的微腔器件叠层阳极的制备方法,其特征在于:R-阳极制备时,膜层选用功函数高的透明导电氧化物薄膜ITO或IZO时,薄膜厚度选择1450A~1550A。

9.根据权利要求8所述的微腔器件叠层阳极的制备方法,其特征在于:完成PVD成膜后进行黄光作业时,涂布光刻胶厚选择0.5um~0.6um。

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