[发明专利]一种强微腔器件叠层阳极的制备方法有效
申请号: | 202110636299.X | 申请日: | 2021-06-08 |
公开(公告)号: | CN113380967B | 公开(公告)日: | 2023-04-07 |
发明(设计)人: | 曹贺;刘晓佳;吕迅;刘胜芳;赵铮涛;潘倩倩 | 申请(专利权)人: | 安徽熙泰智能科技有限公司 |
主分类号: | H10K71/60 | 分类号: | H10K71/60;H10K50/816 |
代理公司: | 芜湖安汇知识产权代理有限公司 34107 | 代理人: | 马荣 |
地址: | 241000 安徽省芜湖市芜湖长江*** | 国省代码: | 安徽;34 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 强微腔 器件 阳极 制备 方法 | ||
1.一种微腔器件叠层阳极的制备方法,其特征在于:所述的微腔器件叠层阳极的制备方法的步骤为:
S1.金属反射层及B阳极成膜;
S2.B-HM制备;B-HM制备时,对完成B阳极工艺的晶圆进行PECVD成膜工艺,选择SiO或SiN膜层,膜层厚度选择3000A~4000A;
S3.G-阳极制备;
S4.G-HM制备;
S5.R-阳极制备;
通过硬掩膜保护,避免在制备过程中对像素阳极的损伤,完成对叠层阳极的制备;
S6.HM去除,完成叠层阳极制备;
HM去除时,对完成R-阳极制备的晶圆进行干法刻蚀,利用刻蚀SiO/SiN对ITO选择比高的特性,去除硬掩膜;
对完成CMOS工艺的硅片进行清洗烘烤作业,去除表面脏污,清洗液选用纯水,完成清洗烘烤的晶圆进行PVD成膜作业,金属反射层选用Al;阳极选用功函数高的透明导电氧化物薄膜ITO或IZO;
对完成B阳极工艺的晶圆进行PECVD成膜工艺,选择SiO或SiN膜层,对完成PECVD成膜的晶圆进行黄光作业,曝光显影后,定义出B-HM图形,B-HM图形大小与所需B阳极线宽大小相同;对完成黄光作业的晶圆进行干法刻蚀及去胶作业,完成B-HM制备;
G-阳极制备时,对完成B-HM制备的晶圆进行PVD成膜作业,膜层选用功函数高的透明导电氧化物薄膜ITO或IZO;
完成PVD成膜后进行黄光作业,曝光显影后,待刻蚀区域为B阳极的子像素区域,宽度为B阳极的线宽+线距;对完成黄光作业的晶圆进行干法刻蚀及去胶作业,完成G-阳极制备;
对完成G阳极工艺的晶圆进行PECVD成膜工艺,选择SiO或SiN膜层;
对完成PECVD成膜的晶圆进行黄光作业,曝光显影后,定义出G-HM图形,G-HM图形大小与所需G阳极线宽大小相同;对完成黄光作业的晶圆进行干法刻蚀及去胶作业,完成G-HM制备;
R-阳极制备时,对完成G-HM制备的晶圆进行PVD成膜作业,膜层选用功函数高的透明导电氧化物薄膜ITO或IZO;
完成PVD成膜后进行黄光作业,曝光显影后,定义出R-阳极图形,R-阳极图形大小与所需R阳极线宽大小相同;对完成黄光作业的晶圆进行干法刻蚀及去胶作业,完成R-阳极制备。
2.根据权利要求1所述的微腔器件叠层阳极的制备方法,其特征在于:对完成CMOS工艺的硅片进行清洗烘烤作业时,烘烤温度选择90℃~120℃,5min~10min,金属反射层选用Al时,金属反射层厚度600A~1500A;阳极选用功函数高的透明导电氧化物薄膜ITO或IZO时,薄膜厚度选择100A~160A。
3.根据权利要求1或2所述的微腔器件叠层阳极的制备方法,其特征在于:对完成B阳极工艺的晶圆进行PECVD成膜工艺,选择SiO或SiN膜层时,膜层厚度选择3000A~4000A,对完成PECVD成膜的晶圆进行黄光作业时,涂布光刻胶厚度选择0.5um~0.6um。
4.根据权利要求1或2所述的微腔器件叠层阳极的制备方法,其特征在于:膜层选用功函数高的透明导电氧化物薄膜ITO或IZO时,薄膜厚度选择550A~650A。
5.根据权利要求4所述的微腔器件叠层阳极的制备方法,其特征在于:完成PVD成膜后进行黄光作业时,涂布光刻胶厚选择0.5um~0.6um。
6.根据权利要求1或2所述的微腔器件叠层阳极的制备方法,其特征在于:对完成G阳极工艺的晶圆进行PECVD成膜工艺,选择SiO或SiN膜层时,膜层厚度选择2000A~3000A。
7.根据权利要求6所述的微腔器件叠层阳极的制备方法,其特征在于:对完成PECVD成膜的晶圆进行黄光作业时,涂布光刻胶厚度选择0.5um~0.6um。
8.根据权利要求1或2所述的微腔器件叠层阳极的制备方法,其特征在于:R-阳极制备时,膜层选用功函数高的透明导电氧化物薄膜ITO或IZO时,薄膜厚度选择1450A~1550A。
9.根据权利要求8所述的微腔器件叠层阳极的制备方法,其特征在于:完成PVD成膜后进行黄光作业时,涂布光刻胶厚选择0.5um~0.6um。
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