[发明专利]一种强微腔器件叠层阳极的制备方法

说明书

本发明提供一种应用于强微腔器件技术领域的强微腔器件叠层阳极的制备方法，所述的强微腔器件叠层阳极的制备方法的步骤为:S1.金属反射层及B阳极成膜；S2.B‑HM制备；B‑HM制备时，对完成B阳极工艺的wafer进行PECVD成膜工艺，选择SiO或SiN膜层，膜层厚度选择3000A～4000A；S3.G‑阳极制备；S4.G‑HM制备；S5.R‑阳极制备；S6.HM去除,完成叠层阳极制备。本发明所述的强微腔器件叠层阳极的制备方法，通过改变制备工艺，通过错位光刻，减少光刻次数，在确保较少的光刻次数条件下，在制备过程中，对每个子像素阳极均进行了保护，确保阳极制程的良率，通过硬掩膜保护，避免在制备过程中对像素阳极的损伤，从而完成对叠层阳极的制备。

技术领域

本发明属于强微腔器件技术领域，更具体地说，是涉及一种强微腔器件叠层阳极的制备方法。

背景技术

硅基Micro OLED微显示器件为实现全彩方案，一般均采用白光器件搭配彩色滤光片方案实现。目前，因硅基Micro OLED器件的制备良率较低，为避免较大的良率损失，目前阳极结构普遍选择简单的单层厚度结构，此结构工艺简单，但因阳极子像素厚度相同，在搭配后续的彩色滤光层时，无法有效的匹配，造成器件的光色不纯，出光效率不高。为了器件的出光更纯，效率更高，则需要器件的BGR具备不同的腔长。OLED厚度均相同，为得到不同的腔长，故需要器件阳极的BGR子像素阳极厚度不同。目前单层阳极结构的硅基Micro OLED微显示器件存在发光光色不纯，出光效率较低，色域窄等现象，为达成改善，需制备叠层阳极结构，满足BGR像素阳极为不同厚度，达成调节腔长功能。而目前无较为成熟稳定的叠层阳极制备工艺。

发明内容

本发明所要解决的技术问题是：针对现有技术的不足，提供一种步骤简单，通过错位光刻，减少光刻次数，在确保较少的光刻次数条件下，在制备过程中，对每个子像素阳极均进行了保护，确保阳极制程的良率，通过硬掩膜保护，避免在制备过程中对像素阳极的损伤，完成对叠层阳极的制备的强微腔器件叠层阳极的制备方法。

要解决以上所述的技术问题，本发明采取的技术方案为：

本发明为一种强微腔器件叠层阳极的制备方法，所述的强微腔器件叠层阳极的制备方法的步骤为:

S1.金属反射层及B阳极成膜；

S2.B-HM制备；B-HM制备时，对完成B阳极工艺的wafer进行PECVD成膜工艺，选择SiO或SiN膜层，膜层厚度选择3000A～4000A；

S3.G-阳极制备；

S4.G-HM制备；

S5.R-阳极制备；

S6.HM去除,完成叠层阳极制备。

对完成CMOS工艺的硅片进行清洗烘烤作业，去除表面脏污，清洗液选用纯水，烘烤温度选择90℃～120℃，5min～10min，完成清洗烘烤的wafer进行PVD成膜作业，金属反射层选用Al，膜层厚度600A～1500A；阳极选用功函数高的透明导电氧化物薄膜ITO或IZO等，薄膜厚度选择100A～160A。

对完成B阳极工艺的wafer进行PECVD成膜工艺，选择SiO或SiN膜层，膜层厚度选择3000A～4000A，对完成PECVD成膜的wafer进行黄光作业，其中，涂布光刻胶厚度选择0.5um～0.6um，曝光显影后，定义出B-HM图形，B-HM图形大小与所需B阳极线宽大小相同；对完成黄光作业的wafer进行干法刻蚀及去胶作业，完成B-HM制备。

G-阳极制备时，对完成B-HM制备的wafer进行PVD成膜作业，膜层选用功函数高的透明导电氧化物薄膜ITO或IZO等，薄膜厚度选择550A～650A。