[发明专利]SGT结构及其制造方法

权利要求书

1.一种SGT结构，其特征在于，所述SGT结构包括：

沟槽，所述沟槽位于器件基底层的中，包括由上至下依次连接的上部、中部和下部；

场氧结构，所述场氧结构覆盖在所述沟槽的下部表面；覆盖有所述场氧结构的所述沟槽的下部形成源多晶硅容置空间，所述源多晶硅容置空间的宽度由上至下逐渐增大；

源多晶硅结构，所述源多晶硅结构填充在所述源多晶硅容置空间中；

隔离结构，所述隔离结构位于所述沟槽的中部，且覆盖在所述场氧结构的上表面和所述源多晶硅结构的上表面；

栅氧结构，所述场氧结构覆盖在所述沟槽的上部表面，覆盖有所述场氧结构的所述沟槽的上部形成栅多晶硅容置空间；

栅多晶硅结构，所述栅多晶硅结构填充在所述栅多晶硅容置空间中。

2.如权利要求1所述的SGT结构，其特征在于，在对应所述源多晶硅结构位置处的所述隔离结构上表面，形成突起。

3.如权利要求1所述的SGT结构，其特征在于，所述场氧结构的厚度为1500埃及以下。

4.如权利要求1所述的SGT结构，其特征在于，所述栅氧结构的厚度为200埃至800埃。

5.如权利要求1所述的SGT结构，其特征在于，所述源多晶硅结构的宽度为800埃至1000埃。

6.一种SGT结构的制作方法，其特征在于，所述SGT结构的制作方法包括以下步骤：

提供带有沟槽的器件基底层，所述沟槽形成于所述器件基底层中；

在所述沟槽的表面形成第一氧化层，使得位于所述沟槽中的第一氧化层表面形貌形成第一填充空间；

使得所述第一填充空间中填充第一多晶硅；

回刻蚀所述第一多晶硅，保留位于所述第一填充空间下部的第一多晶硅；

对所述第一氧化层进行刻蚀，刻蚀去除位于所述沟槽上部的第一氧化层，使得所述沟槽的上部表面外露，使得回刻蚀后的第一多晶硅上端从剩余第一氧化层的上表面伸出形成延伸部；

进行氧化工艺，使得外露沟槽中的结构表面，和回刻蚀剩余第一多晶硅的侧表面被氧化形成第二氧化层；所述第一多晶硅的侧表面被氧化程度由上至下逐渐减弱，位于所述沟槽中的第二氧化层表面形貌形成栅多晶硅容置空间；

使得所述栅多晶硅容置空间中填充第二多晶硅，形成栅多晶硅结构。

7.如权利要求6所述的SGT结构的制作方法，其特征在于，所述使得所述第一填充空间中填充第一多晶硅的步骤包括：

通过热氧化工艺和次常压化学气相沉积工艺，使得所述第一填充空间中填充第一多晶硅。

8.如权利要求6所述的SGT结构的制作方法，其特征在于，所述进行氧化工艺，，使得外露沟槽中的结构表面，和回刻蚀剩余第一多晶硅的侧表面被氧化形成第二氧化层的步骤中，所述进行氧化工艺，被氧化形成第二氧化层包括：

使得外露的沟槽上部侧表面，和第一多晶硅延伸部的外露表面被氧化形成第二氧化层。

9.如权利要求8所述的SGT结构的制作方法，其特征在于，所述延伸部的外露表面被氧化形成的第二氧化层厚度，与外露的沟槽上部侧表面被氧化形成的第二氧化层厚度之比大于3比1。

10.如权利要求6所述的SGT结构的制作方法，其特征在于，所述进行氧化工艺，使得外露沟槽中的结构表面，和回刻蚀剩余第一多晶硅的侧表面被氧化形成第二氧化层的步骤，包括：

在850℃以下温度条件下，进行氧化工艺，使得外露沟槽中的结构表面，和回刻蚀剩余第一多晶硅的侧表面被氧化形成第二氧化层。