[发明专利]QLED发光晶体管和显示装置有效
| 申请号： | 202110642379.6 | 申请日： | 2021-06-09 |
| 公开（公告）号： | CN113421981B | 公开（公告）日： | 2022-09-27 |
| 发明（设计）人： | 程希 | 申请（专利权）人： | TCL华星光电技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L51/50 | 分类号： | H01L51/50;H01L27/32 |
| 代理公司： | 深圳紫藤知识产权代理有限公司 44570 | 代理人： | 杨艇要 |
| 地址： | 518132 广东*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | qled 发光 晶体管 显示装置 | ||
1.一种QLED发光晶体管，其特征在于，所述QLED发光晶体管包括：
依次设置的衬底、栅极层和绝缘层；
QLED层，设置于所述绝缘层远离所述栅极层一面，所述QLED层包括用以发光的量子点层；以及
源/漏极层，所述源/漏极层包括源极层和漏极层，所述源极层和所述漏极层中的一个作为阳极设置于所述QLED层远离所述绝缘层一面，另一个作为阴极设置于所述绝缘层与所述QLED层之间，所述阳极与所述阴极之间串联连接，所述阳极接收第一电压使得所述QLED层发光；
所述阴极与所述栅极层串联连接，所述栅极层接收第二电压，调节所述第一电压和所述第二电压使得所述QLED层发红光、绿光或蓝光；
所述量子点层包括由靠近所述绝缘层一端向远离所述绝缘层一端依次设置的红量子点层、绿量子点层和蓝量子点层；
当所述第一电压与所述第二电压之间的压差为正时，所述第一电压为正电压，所述第二电压为负电压，所述QLED层发红光；
当所述第一电压与所述第二电压之间的压差为负时，所述第一电压为负电压，所述第二电压为正电压，所述QLED层发蓝光；
当所述第一电压与所述第二电压之间的压差为0时，保持所述第一电压不便，调节所述第二电压至所述第一电压与所述第二电压之间的压差为0，所述QLED层发绿光；
或者，所述量子点层包括由靠近所述绝缘层一端向远离所述绝缘层一端依次设置的蓝量子点层、绿量子点层和红量子点层；
当所述第一电压与所述第二电压之间的压差为正时，所述QLED层发蓝光；
当所述第一电压与所述第二电压之间的压差为负时，所述QLED层发红光；
当所述第一电压与所述第二电压之间的压差为0时，所述QLED层发绿光。
2.如权利要求1所述的QLED发光晶体管，其特征在于，所述QLED层还包括设置于所述阴极与所述量子点层之间的用以向所述量子点层传导电子的电子传输层。
3.如权利要求1所述的QLED发光晶体管，其特征在于，所述QLED层还包括设置于所述量子点层与所述阳极之间的用以向所述量子点层传导电子的空穴传输层。
4.如权利要求2所述的QLED发光晶体管，其特征在于，所述阴极由两根以上银纳米线形成，两根以上所述银纳米线呈网格状交错排布于所述绝缘层远离所述栅极层一面。
5.如权利要求1所述的QLED发光晶体管，其特征在于，所述栅极层为ITO层。
6.如权利要求1所述的QLED发光晶体管，其特征在于，所述QLED发光晶体管从所述栅极层一侧出光。
7.一种显示装置，其特征在于，所述显示装置包括如权利要求1~6中任一项所述的QLED发光晶体管。
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