[发明专利]QLED发光晶体管和显示装置

说明书

本发明涉及一种QLED发光晶体管和显示装置，所述QLED发光晶体管通过将TFT开关内的半导体层替换为QLED层，实现QLED与TFT开关的一体化设计，简化工艺流程，降低生产成本，而且通过调节施加在栅极层的第二电压，可使得QLED发光晶体管单独发出红光、绿光或蓝光，实现出光波长多样性。

技术领域

本发明涉及显示技术领域，特别涉及一种QLED发光晶体管及具有该QLED发光晶体管的显示装置。

背景技术

随着显示技术的不断发展，OLED(Quantum Dot Light Emitting Diodes，量子点发光晶体管)已经实现了市场化，而QLED作为一种新兴的技术，在色域上相比OLED又有了进一步的提高，但QLED目前由于材料稳定性等原因尚未实现市场化。

参照图1，传统的QLED为二极管结构，包括由下至上依次设置的阳极层(anode)210、HTL层(空穴传输层)220、QDs层(量子点层)230、ETL层(电子传输层)240和阴极层(cathode)250，QLED发光需要外部的TFT(薄膜晶体管)开关，在阳极层210和阴极层250之间施加一定电压，HTL层220内的电子和ETL层240内的电子分别向QDs层230内移动，而使得QDs层230发光，实现QLED的发光，通过TFT开关调节施加的电压值的大小控制QLED发光的亮度。

然而，现有的QLED与TFT开关的组合方式尚无法实现QLED发光和TFT开关的一体化，而且，如果需要单独发出红光(R)、绿光(G)和蓝光(B)，则分别需要一个独立的QLED来实现，无法实现单个QLED单独发出红光、蓝光或绿光，即无法满足单个QLED的发光波长多样性。

发明内容

本发明目的在于，解决现有QLED无法实现与TFT一体化的问题。

为实现上述目的，本发明提供一种QLED发光晶体管，所述QLED发光晶体管包括：依次设置的衬底、栅极层和绝缘层；QLED层，设置于所述绝缘层远离所述栅极层一面，所述QLED层包括用以发光的量子点层；以及源/漏极层，所述源/漏极层包括源极层和漏极层，所述源极层和所述漏极层中的一个作为阳极设置于所述QLED层远离所述绝缘层一面，另一个作为阴极设置于所述绝缘层与所述QLED层之间，所述阳极与所述阴极之间串联连接，所述阳极接收第一电压使得所述QLED层发光。

可选的，所述阴极与所述栅极层串联连接，所述栅极层接收第二电压，调节所述第一电压和所述第二电压使得所述QLED层发红光、绿光或蓝光。

可选的，所述量子点层包括由靠近所述绝缘层一端向远离所述绝缘层一端依次设置的红量子点层、绿量子点层和蓝量子点层；当所述第一电压与所述第二电压之间的压差为正时，所述QLED层发红光；当所述第一电压与所述第二电压之间的压差为负时，所述QLED层发蓝光；当所述第一电压与所述第二电压之间的压差为0时，所述QLED层发绿光。

可选的，所述量子点层包括由靠近所述绝缘层一端向远离所述绝缘层一端依次设置的蓝量子点层、绿量子点层和红量子点层；当所述第一电压与所述第二电压之间的压差为正时，所述QLED层发蓝光；当所述第一电压与所述第二电压之间的压差为负时，所述QLED层发红光；当所述第一电压与所述第二电压之间的压差为0时，所述QLED层发绿光。

可选的，所述QLED层还包括设置于所述阴极与所述量子点层之间的用以向所述量子点层传导电子的电子传输层。

可选的，所述QLED层还包括设置于所述量子点层与所述阳极之间的用以向所述量子点层传导电子的空穴传输层。

可选的，所述阴极由两根以上银纳米线形成，两根以上所述银纳米线呈网格状交错排布于所述绝缘层远离所述栅极层一面。

可选的，所述栅极层为ITO层。

可选的，所述QLED发光晶体管从所述栅极层一侧出光。