[发明专利]一种半导体发光元件和发光装置

权利要求书

1.一种半导体发光元件，其包括：半导体层和焊盘；

半导体层包括：第一导电型半导体层、第二导电型半导体层和两者之间的发光层；

绝缘层，覆盖所述半导体层的顶表面和侧壁；

焊盘，包括第一焊盘、第二焊盘，位于绝缘层上，并且第一焊盘、第二焊盘分别与第一导电类型半导体层、第二导电类型半导体层连接；

所述的焊盘具有相对上表面和下表面，所述的焊盘的上表面未与任何基板结合，所述的焊盘下表面与所述绝缘层接触；

其特征在于：焊盘包括含锡银层，含锡银层为单层，具有相对的第一表面和第二表面，第一表面相对第二表面更靠近半导体层，自第一表面起，D1厚度内银原子数相对于锡和银的总原子数的原子百分比具有一个峰值，所述的D1厚度为大于0微米，所述的D1厚度小于等于1微米。

2.根据权利要求1的半导体发光元件，其特征在于，所述的含锡银层的厚度为4～20微米。

3.根据权利要求1的半导体发光元件，其特征在于，所述的焊盘还包括结合层，结合层允许锡进入至少部分厚度的结合层。

4.根据权利要求3的半导体发光元件，其特征在于，所述的结合层比含锡银层更靠近半导体层。

5.根据权利要求3的半导体发光元件，其特征在于，所述的结合层为镍层、铜层、铂层、镍层与铜层的组合、镍层与铂层的组合中一种。

6.根据权利要求3的半导体发光元件，其特征在于，所述的结合层的厚度为200nm～1500nm。

7.根据权利要求4的半导体发光元件，其特征在于，所述的结合层与含锡银层之间还存在共熔层，该共熔层的组分为锡与结合层的组分的组合。

8.根据权利要求7的半导体发光元件，其特征在于，所述共熔层的组分为含锡镍组合物，共熔层的厚度大于0纳米且不超过100纳米。

9.根据权利要求1的半导体发光元件，其特征在于，所述焊盘还包括反射层，反射层比结合层更接近半导体层。

10.根据权利要求1的半导体发光元件，其特征在于，所述的焊盘具有最远离半导体层的最上表面，含锡银层的第二表面为焊盘的所述最上表面或者所述的含锡银层的第二表面上还有保护层，所述的保护层的表面为所述的焊盘具有最远离半导体层的最上表面。

11.根据权利要求1的半导体发光元件，其特征在于，所述焊盘具有最远离半导体层的最上表面，最上表面具有凸凹不平的形貌。

12.根据权利要求1的半导体发光元件，其特征在于，所述的第一焊盘和第二焊盘之间的间距不超过200微米。

13.根据权利要求1的半导体发光元件，其特征在于，D1厚度内银原子数相对于锡和银的总原子数的原子百分比具有一个峰值超过20％。

14.根据权利要求1的半导体发光元件，其特征在于，D1厚度内银原子数相对于锡和银的总原子数的原子百分比具有一个介于50％～80％的峰值。

15.一种发光装置，其特征在于：包括权利要求1～14任一项的半导体发光元件。