[发明专利]一种半导体发光元件和发光装置

说明书

本发明涉及一种半导体发光元件和发光装置，其中所述的半导体发光元件包括：半导体层和焊盘；半导体层包括：第一导电型半导体层、第二导电型半导体层和两者之间的发光层；焊盘，包括第一焊盘、第二焊盘，位于半导体层上，第一焊盘、第二焊盘分别与第一导电类型半导体层、第二导电类型半导体层连接；焊盘包括含锡银层，含锡银层具有相对的第一表面和第二表面，第一表面相对第二表面更靠近半导体层，自第一表面开始计算或者自第二表面开始计算，D1厚度内银原子数相对于锡和银的总原子数的原子百分比具有一个峰值，所述的D1厚度为大于0微米。通过在含锡银层第一表面或者第二表面附近设置一层高银含量的含锡银层，减少锡与其它金属扩散形成的空洞，增强结合力。

技术领域

涉及一种半导体发光元件和发光装置，尤其涉及一种倒装发光二极管（LED）芯片以及包括倒装发光二极管（LED）芯片的发光装置。

背景技术

随着LED芯片半导体发光元件成本的下降和技术的进步，再加上最近LED照明行业增长乏力，国内外LED芯片半导体发光元件和封装巨头纷纷开始寻找新的市场增长点。小尺寸的LED作为市场前景广阔的新技术具备运用于背光显示或者RGB显示领域的优势，近两年尤其受关注。其中100微米以下尺寸的无透明基板衬底支撑的LED目前因为存在技术路线不确定和成本较高的原因，短时间内难以大规模商业化，而有透明基板衬底支撑的小尺寸LED作为小间距LED产品的延伸和100微米以下尺寸的无基板的LED的前奏，已经开始在LCD背光和RGB显示产品开始出货，现阶段例如已经量产出货的P0.9的有基板透明衬底如蓝宝石支撑的小尺寸LED。尤其在室内显示屏应用上，小尺寸LED具有更多的优势，包括更广的可视角度、更高的可靠度、无摩尔纹现象等，在不同视角下不会产生色偏现象，也不会有LED之间的串亮干扰现象。其中倒装小尺寸LED产品有更佳的电性效能，更好的散热性，以及低讯号干扰、低连接电路损耗等特性，使得最终产品具有更高的可靠性。

普通尺寸的倒装LED芯片的封装主要采用普通锡膏回流。回流焊的过程如下：首先在电路板上涂覆锡膏，再把芯片放到相应位置，锡膏具有一定固晶作用，可以使得芯片固定在电路板上。然而当LED尺寸过小时，涂覆锡膏的量难以精确控制，涂覆在电路板上的锡膏易流动，正负极性焊盘之间易通过流动的锡膏连通，造成短路。

发明内容

本发明提供了一种发光二极管，可以防止不同极性电极之间锡膏的相互接触，产生短路，同时提高焊盘在电路基板上的结合能力，提高可靠性。

所述倒装半导体发光元件，包括：半导体层和焊盘；

半导体层包括：第一导电型半导体层、第二导电型半导体层和两者之间的发光层；

焊盘，包括第一焊盘、第二焊盘，位于半导体层上，第一焊盘、第二焊盘分别与第一导电类型半导体层、第二导电类型半导体层连接；

其特征在于：焊盘包括含锡银层，含锡银层具有相对的第一表面和第二表面，第一表面相对第二表面更靠近半导体层，自第一表面开始计算，D1厚度内银原子数相对于锡和银的总原子数的原子百分比具有一个峰值，所述的D1厚度为大于0。

优选的，所述的含锡银层的厚度为4~20微米。

优选的，所述的D1厚度小于等于1微米。

优选的，所述的焊盘还包括结合层。

优选的，所述的结合层比含锡银层更靠近半导体层。

优选的，所述的结合层为镍层、铜层、铂层、镍层与铜层的组合、镍层与铂层的组合中一种。

优选的，所述的结合层的厚度为200nm~1500nm。

优选的，所述的结合层与含锡银层之间还存在共熔层，该共熔层的组分为锡与结合层的组分的组合。

优选的，所述共熔层的组分为含锡镍组合物，共熔层的厚度大于0微米且不超过1微米。