[发明专利]一种晶圆减薄方法

权利要求书

1.一种晶圆减薄方法，其特征在于，包括：

取一衬底进行预处理；

在待处理的晶圆表面覆上胶体层，测量胶体层的厚度，控制胶体层的厚度预定范围内；

将晶圆粘接在衬底上，并对晶圆进行减薄处理，待减薄处理完成后将晶圆和衬底进行分离；

取一衬底进行预处理包括：选取与晶圆形状相同的蓝宝石衬底，在衬底上设置若干个均匀分布的应力释放孔，并以衬底的中心点为参考点，在晶圆上选取若干个测量点，使每个测量点与参考点之间的高度差小于5微米。

2.根据权利要求1所述的一种晶圆减薄方法，其特征在于，在待处理的晶圆表面覆上胶体层，包括：对晶圆吸附定位并使晶圆的覆胶面向上，以晶圆中心为覆胶起点进行向外旋转覆胶，直至晶圆的覆胶面覆胶完全。

3.根据权利要求1所述的一种晶圆减薄方法，其特征在于，测量胶体层的厚度，控制胶体层的厚度在预定范围内，包括：先测量出待处理的晶圆厚度，在覆胶时不断地测量覆胶后的整体厚度，通过将覆胶后的整体厚度减去晶圆厚度来获取胶体层厚度，不断监测胶体层厚度，确保胶体层厚度在预定范围内。

4.根据权利要求3所述的一种晶圆减薄方法，其特征在于，胶体层厚度的预定范围为15-40微米。

5.根据权利要求1所述的一种晶圆减薄方法，其特征在于，将晶圆粘接在衬底上，包括：选取对位基准点，将晶圆的覆胶面向下放置在衬底上，调节衬底和晶圆位置，使两者的对位基准点对齐。

6.根据权利要求1所述的一种晶圆减薄方法，其特征在于，对晶圆进行减薄处理，包括：分别采用两种颗粒直径不同的研磨粉进行研磨，其中，先采用颗粒直径大的研磨粉对晶圆进行机械减薄，再采用直径小的研磨粉对晶圆进行CMP抛光到镜面，同时不断监测晶圆减薄后的实际厚度，直至达到预定的厚度后停止减薄。

7.根据权利要求6所述的一种晶圆减薄方法，其特征在于，先采用直径为3-30微米的Al₂O₃粉、SiO2粉或MgO粉作为研磨粉对晶圆进行机械减薄，再采用直径为0.1-1微米的Al₂O₃粉、SiO2粉或MgO粉作为研磨粉对晶圆进行CMP抛光。

8.根据权利要求6所述的一种晶圆减薄方法，其特征在于，不断监测晶圆减薄后的实际厚度，包括：先测量衬底厚度、晶圆厚度及胶体层厚度，并不断测量出粘接衬底后的总厚度，通过将测量出粘接衬底后的总厚度减去衬底厚度、晶圆厚度及胶体层厚度来获取减薄后晶圆的实际厚度，待减薄后晶圆的实际厚度达到预定的要求后停止减薄。

9.根据权利要求1所述的一种晶圆减薄方法，其特征在于，使晶圆和衬底进行分离，包括：对减薄处理后的晶圆整体进行清洗，然后放入有机溶剂中浸泡，待胶体层完全溶解后再转移至异丙醇溶剂中浸泡再取出晶圆进行干燥处理。