[发明专利]一种晶圆减薄方法

说明书

本发明涉及晶圆处理技术领域，具体涉及一种晶圆减薄方法，取一衬底进行预处理；在待处理的晶圆表面覆上胶体层，测量胶体层的厚度，控制胶体层的厚度在预定范围内；将晶圆粘接在衬底上并对晶圆进行减薄处理，待减薄处理完成后使晶圆和衬底进行分离。以此先将晶圆粘接在衬底上再对晶圆进行减薄处理，使得衬底在减薄处理过程中能为晶圆提供支撑，可以有效降低减薄时晶圆碎裂的风险，提高晶圆的生产质量，有利于提高产品的良品率。

技术领域

本发明涉及晶圆处理技术领域，具体涉及一种晶圆减薄方法。

背景技术

随着5G工业控制的发展，芯片的需求量越大，对芯片的厚度等控制要求也越高，而减薄工序作为芯片生产的重要工序，它对芯片的生产质量等起到较大影响。

目前的晶圆减薄工序中，一般都是先将晶圆减薄到预定的厚度范围内，然后再对晶圆切割成单个芯片。然而，随着芯片行业的发展，芯片厚度越来越薄，按目前的减薄工序进行直接减薄处理，晶圆容易因为太薄而导致在减薄过程中发生破碎，大大影响到生产质量，导致良品率降低。

因此，行业内亟需一种能解决上述问题的方案。

发明内容

本发明的目的在于针对现有技术的不足而提供一种晶圆减薄方法。本发明的目的可以通过如下所述技术方案来实现。

一种晶圆减薄方法，包括

取一衬底进行预处理；

在待处理的晶圆表面覆上胶体层，测量胶体层的厚度，控制胶体层的厚度在预定范围内；

将晶圆粘接在衬底上，并对晶圆进行减薄处理，待减薄处理完成后将晶圆和衬底进行分离。

作为优选地，取一衬底进行预处理，包括：选取与晶圆形状相同的蓝宝石衬底，在衬底上设置若干个均匀分布的应力释放孔，并以衬底的中心点为参考点，在晶圆上选取若干个测量点，使每个测量点与参考点之间的高度差小于5微米。

作为优选地，在待处理的晶圆表面覆上胶体层，包括：对晶圆吸附定位并使晶圆的覆胶面向上，以晶圆中心为覆胶起点进行向外旋转覆胶，直至晶圆的覆胶面覆胶完全。

作为优选地，测量胶体层的厚度，控制胶体层的厚度在预定范围内，包括：先测量出待处理的晶圆厚度，在覆胶时不断地测量覆胶后的整体厚度，通过将覆胶后的整体厚度减去晶圆厚度来获取胶体层厚度，不断监测胶体层厚度，确保胶体层厚度在预定范围内。

作为优选地，胶体层厚度的预定范围为15-40微米。

作为优选地，将晶圆粘接在衬底上，包括：选取对位基准点，将晶圆的覆胶面向下放置在衬底上，调节衬底和晶圆位置，使两者的对位基准点对齐。

作为优选地，对晶圆进行减薄处理，包括：分别采用两种颗粒直径不同的研磨粉进行研磨，其中，先采用颗粒直径大的研磨粉对晶圆进行机械减薄，再采用直径小的研磨粉对晶圆进行CMP抛光到镜面，同时不断监测晶圆减薄后的实际厚度，直至达到预定的厚度后停止减薄。

作为优选地，先采用直径为3-30微米的Al₂O₃粉、SiO2粉或MgO粉作为研磨粉对晶圆进行机械减薄，再采用直径为0.1-1微米的Al₂O₃粉、SiO2粉或MgO粉作为研磨粉对晶圆进行CMP抛光。

作为优选地，不断监测晶圆减薄后的实际厚度，包括：先测量衬底厚度、晶圆厚度及胶体层厚度，并不断测量出粘接衬底后的总厚度，通过将测量出粘接衬底后的总厚度减去衬底厚度、晶圆厚度及胶体层厚度来获取减薄后晶圆的实际厚度，待减薄后晶圆的实际厚度达到预定的要求后停止减薄。

作为优选地，使晶圆和衬底进行分离，包括：对减薄处理后的晶圆整体进行清洗，然后放入有机溶剂中浸泡，待胶体层完全溶解后再转移至异丙醇溶剂中浸泡，再取出晶圆进行干燥处理。