[发明专利]氧化硅系负极材料及其制造方法在审
| 申请号： | 202110646277.1 | 申请日： | 2017-09-28 |
| 公开（公告）号： | CN113394389A | 公开（公告）日： | 2021-09-14 |
| 发明（设计）人： | 柏谷悠介 | 申请（专利权）人： | 株式会社大阪钛技术 |
| 主分类号： | H01M4/48 | 分类号： | H01M4/48;H01M10/0525;C01B33/113 |
| 代理公司： | 北京德琦知识产权代理有限公司 11018 | 代理人： | 刁兴利;康泉 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 氧化 负极 材料 及其 制造 方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种氧化硅系负极材料的制造方法，加热含有Si、O及Li的原料，从该原料同时产生SiO气体和Li气体，将这些气体在同一面上冷却并回收。
2.根据权利要求1所述的氧化硅系负极材料的制造方法，其中，
包含在所述原料中的部分Si以Si单质存在，并且Li以硅酸锂存在。
3.根据权利要求2所述的氧化硅系负极材料的制造方法，其中，
所述原料为Si单质与硅酸锂的混合物，或者，所述原料为Si单质、硅酸锂和Si氧化物的混合物。
4.根据权利要求3所述的氧化硅系负极材料的制造方法，其中，
包含LiOH和Li2CO3中的一个或两个以及Si单质的一次原料经加热烧成而成为二次原料，并且将该二次原料作为所述原料进行加热。
5.根据权利要求1～4中的任一项所述的氧化硅系负极材料的制造方法，其中，
用SiLixOy表示所述原料的平均组成，并且满足0.05＜x＜0.7及0.9＜y＜1.1。
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