[发明专利]双面覆铜陶瓷基板的局部放电测试方法

说明书

本发明涉及半导体制造技术领域。双面覆铜陶瓷基板的局部放电测试方法，包括如下步骤：步骤一，在盒体内注入绝缘油；盒体内固定有底座，底座包括电极底座、下弹性层以及下金属片，下金属片设有下延伸条，下延伸条与电极底座接触连接，盒体的底部安装有金属触头，金属触头与电极底座接触电连接；金属触头与局部放电测试仪的负极端子电相连；步骤二，将双面覆铜陶瓷基板放置在底座上；步骤三，将盖板放置在双面覆铜陶瓷基板上；盖板包括从上至下设置的探针盖板、上弹性层以及上金属片，上金属片设有上延伸条，上延伸条与探针盖板接触连接；步骤四，局部放电测试仪的正极探针以及负极端子之间施加电压进行测试。简单易行、无损检测，普适性强。

技术领域

本发明涉及半导体制造领域，具体是用于局部放电测试时的工件固定治具。

背景技术

对于高压IGBT模块而言，内部的绝缘性能是一项重要的技术指标，通常以局部放电量来衡量。随着IGBT模块电压等级的不断提升和集成密度的不断增大，对其绝缘性能提出了更高的要求。在高压IGBT模块的内部结构中，影响模块绝缘性能的介质主要有两种：一种是硅胶，填充在模块内部各器件的间隙中，并将模块内部各器件表面完全覆盖，防止模块内部发生绝缘击穿，另一种是具有高介电强度的双面覆有金属层的陶瓷基板，实现基板表面的电路图案以及衬板上表面器件与基板之间的电气绝缘。对金属陶瓷基板进行局部放电测试(以下简称局放)并筛选优良品，能够有效提高IGBT模块的合格品率和产品质量。

现有技术中，关于对金属陶瓷基板局放测试的研究较少。而金属陶瓷基板母板表面金属层蚀刻有复杂精细的孤岛状线路图案，一片母板上有数十个乃至上百个孤岛状金属单元，要一次性测试整片母板每个孤岛状金属单元的局放量需要上百个探针，成本巨大，且探针过细会划伤金属层，不能实现无损检测，局放测试仪测试探针数量有限，需要多次测试，或将母板切割成小枚再多次测试，测试效率低。

发明内容

针对现有技术存在的问题，本发明提供双面覆铜陶瓷基板的局部放电测试方法，以解决以上至少一个技术问题。

为了达到上述目的，本发明提供了双面覆铜陶瓷基板的局部放电测试方法，其特征在于，包括如下步骤：

步骤一，在盒体内注入绝缘油；

所述盒体内固定有底座，所述底座包括从下至上设置的电极底座、下弹性层以及下金属片，所述下金属片设有向下延伸的下延伸条，所述下延伸条与所述电极底座接触连接，所述电极底座的材料是导电材料；

所述盒体的底部安装有金属触头，所述金属触头与所述电极底座接触电连接；

所述盒体放置在局部放电测试仪上，且金属触头与局部放电测试仪的负极端子电相连；

步骤二，将双面覆铜陶瓷基板放置在底座上，双面覆铜陶瓷基板的一面与下金属片接触；

步骤三，将盖板放置在双面覆铜陶瓷基板上；

所述盖板包括从上至下设置的探针盖板、上弹性层以及上金属片，所述上金属片设有向上延伸的上延伸条，所述上延伸条与所述探针盖板接触连接，所述探针盖板的材料是导电材料；

所述下金属片与双面覆铜陶瓷基板的另一面接触；

步骤四，局部放电测试仪的正极探针与探针盖板相连，局部放电测试仪的正极探针以及负极端子之间施加电压进行测试。

步骤一中，绝缘油的高度高于底座5mm-30mm。高于底座5mm是为了保证覆铜基板放置入盒体中，绝缘油能够很快的没入覆铜基板的沟槽中，如果低于5mm，放置盖板压紧后，可能会有沟槽出未完全填入绝缘油或填入后有气泡，压紧后，即使再次注入绝缘油，这种会造成局放测试干扰的不利因素也很难消除。如果绝缘油高于30mm，放置盖板后，可能会出现绝缘油溢出盒体，即造成绝缘油材料的浪费以及需要清洗设备，造成人力物力的浪费。