[发明专利]NOR闪存及其操作方法与上电方法在审
| 申请号： | 202110648415.X | 申请日： | 2021-06-10 |
| 公开（公告）号： | CN115472202A | 公开（公告）日： | 2022-12-13 |
| 发明（设计）人： | 刘晓庆 | 申请（专利权）人： | 合肥格易集成电路有限公司;兆易创新科技集团股份有限公司 |
| 主分类号： | G11C16/14 | 分类号： | G11C16/14;G11C16/34 |
| 代理公司： | 深圳紫藤知识产权代理有限公司 44570 | 代理人： | 黄威 |
| 地址： | 230601 安徽省*** | 国省代码： | 安徽;34 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | nor 闪存 及其 操作方法 方法 | ||
1.一种NOR闪存，其特征在于，包括：
存储器单元阵列；以及
控制器，用于执行：
接收擦除指令；
将擦除标示位设定为第一取值，并存储目标擦除区域所在的块的地址；
对所述目标擦除区域执行擦除操作；以及
响应于对所述目标擦除区域执行擦除操作的期间未掉电，将所述擦除标示位设定为第二取值，并删除所述目标擦除区域所在的块的地址。
2.根据权利要求1所述的NOR闪存，其特征在于，所述擦除标示位和所述目标擦除区域所在的块的地址存储在所述存储器单元阵列中。
3.一种NOR闪存的操作方法，其特征在于，包括：
接收擦除指令；
将擦除标示位设定为第一取值，并存储目标擦除区域所在的块的地址；
对所述目标擦除区域执行擦除操作；以及
响应于对所述目标擦除区域执行擦除操作的期间未掉电，将所述擦除标示位设定为第二取值，并删除所述目标擦除区域所在的块的地址。
4.根据权利要求3所述的NOR闪存，其特征在于，所述擦除标示位和所述目标擦除区域所在的块的地址存储在所述NOR闪存的存储器单元阵列中。
5.一种NOR闪存，其特征在于，包括：
存储器单元阵列；以及
控制器，用于执行：
接收上电指令；
读取擦除标示位；
响应于读取的所述擦除标示位为第一取值，读取块地址；
对所述块地址对应的块执行过擦除验证及软编程操作；
将所述擦除标示位设定为第二取值，并删除所述块地址；以及
读取上电参数。
6.根据权利要求5所述的NOR闪存，其特征在于，所述擦除标示位和所述块地址存储在所述存储器单元阵列中。
7.根据权利要求5所述的NOR闪存，其特征在于，读取的所述擦除标示位为第一取值指示在对所述块地址对应的块执行擦除操作时发生了异常掉电。
8.一种NOR闪存的上电方法，其特征在于，包括：
接收上电指令；
读取擦除标示位；
响应于读取的所述擦除标示位为第一取值，读取块地址；
对所述块地址对应的块执行过擦除验证及软编程操作；
将所述擦除标示位设定为第二取值，并删除所述块地址；以及
读取上电参数。
9.根据权利要求8所述的NOR闪存的上电方法，其特征在于，所述擦除标示位和所述块地址存储在所述NOR闪存的存储器单元阵列中。
10.根据权利要求8所述的NOR闪存的上电方法，其特征在于，读取的所述擦除标示位为第一取值指示在对所述块地址对应的块执行擦除操作时发生了异常掉电。
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