[发明专利]NOR闪存及其操作方法与上电方法

说明书

一种NOR闪存，包括：存储器单元阵列；以及控制器，用于执行：接收擦除指令；将擦除标示位设定为第一取值，并存储目标擦除区域所在的块的地址；对所述目标擦除区域执行擦除操作；以及响应于对所述目标擦除区域执行擦除操作的期间未掉电，将所述擦除标示位设定为第二取值，并删除所述目标擦除区域所在的块的地址。还提供一种NOR闪存的操作方法及上电方法。

技术领域

本揭示涉及存储器技术领域，特别是涉及一种NOR闪存及其操作方法与上电方法。

背景技术

在NOR闪存中，擦除固定容量的存储器单元是常有的操作。NOR闪存的擦除机制是通过隧穿效应强行把浮栅中的电子拉入沟道从而减小存储器单元的阈值电压。擦除时往往容易擦除的过深，即擦除后存储器单元的栅极加压等于0的情况下还会有漏电。如果擦除期间异常掉电，即在过擦除之前掉电，则存储器单元就会存在漏电的现象。更明确地说，现有NOR闪存在擦除期间仅做单纯的擦除操作，异常掉电后芯片会存在漏电的风险。

因此需要对现有技术的问题提出解决方法。

发明内容

本揭示的目的在于提供一种NOR闪存及其操作方法与上电方法，其能解决现有技术中NOR闪存异常掉电后芯片会存在漏电风险的问题。

为解决上述问题，本揭示提供的一种NOR闪存包括：存储器单元阵列；以及控制器。所述控制器用于执行：接收擦除指令；将擦除标示位设定为第一取值，并存储目标擦除区域所在的块的地址；对所述目标擦除区域执行擦除操作；以及响应于对所述目标擦除区域执行擦除操作的期间未掉电，将所述擦除标示位设定为第二取值，并删除所述目标擦除区域所在的块的地址。

于一实施例中，所述擦除标示位和所述目标擦除区域所在的块的地址存储在所述存储器单元阵列中。

为解决上述问题，本揭示提供的一种NOR闪存的操作方法包括：接收擦除指令；将擦除标示位设定为第一取值，并存储目标擦除区域所在的块的地址；对所述目标擦除区域执行擦除操作；以及响应于对所述目标擦除区域执行擦除操作的期间未掉电，将所述擦除标示位设定为第二取值，并删除所述目标擦除区域所在的块的地址。

于一实施例中，所述擦除标示位和所述目标擦除区域所在的块的地址存储在所述NOR闪存的存储器单元阵列中。

为解决上述问题，本揭示提供的一种NOR闪存包括：存储器单元阵列；以及控制器。所述控制器用于执行：接收上电指令；读取擦除标示位；响应于读取的所述擦除标示位为第一取值，读取块地址；对所述块地址对应的块执行过擦除验证及软编程操作；将所述擦除标示位设定为第二取值，并删除所述块地址；以及读取上电参数。

于一实施例中，所述擦除标示位和所述块地址存储在所述存储器单元阵列中。

于一实施例中，读取的所述擦除标示位为第一取值指示在对所述块地址对应的块执行擦除操作时发生了异常掉电。

为解决上述问题，本揭示提供的一种NOR闪存的上电方法，包括：接收上电指令；读取擦除标示位；响应于读取的所述擦除标示位为第一取值，读取块地址；对所述块地址对应的块执行过擦除验证及软编程操作；将所述擦除标示位设定为第二取值，并删除所述块地址；以及读取上电参数。

于一实施例中，所述擦除标示位和所述块地址存储在所述NOR闪存的存储器单元阵列中。

于一实施例中，读取的所述擦除标示位为第一取值指示在对所述块地址对应的块执行擦除操作时发生了异常掉电。