[发明专利]源漏接触金属的工艺方法、器件及其制备方法

权利要求书

1.一种源漏接触金属的工艺方法，其特征在于，包括：

在基底上制作目标鳍片；

在所述目标鳍片外外延锗硅材料，形成包围所述目标鳍片的目标锗硅外延层；所述目标锗硅外延层包括位于所述目标鳍片两侧的第一连接角与第二连接角；

刻蚀掉所述目标锗硅外延层中的第一锗硅部分与第二锗硅部分，形成源漏的锗硅体层；所述第一锗硅部分包括所述第一连接角，所述第二锗硅部分包括所述第二连接角；

在所述锗硅体层外沉积一层硅化物层；

形成所述硅化物层与金属的接触连接。

2.根据权利要求1所述的工艺方法，其特征在于，刻蚀掉所述目标锗硅外延层中的第一锗硅部分与第二锗硅部分，形成源漏的锗硅体层，包括：

在所述目标锗硅外延层外制作抗反射涂层；

在所述抗反射涂层上制作掩膜，并图案化所述掩膜，以使得正对所述第一锗硅部分与所述第二锗硅部分的掩膜被去除；

基于所述掩膜，刻蚀所述目标锗硅外延层，形成所述锗硅体层。

3.根据权利要求1所述的工艺方法，其特征在于，刻蚀掉所述目标锗硅外延层中的第一锗硅部分与第二锗硅部分，形成源漏的锗硅体层，包括：

在所述目标锗硅外延层外形成介电材料；

去除部分所述介电材料，以对外露出指定区域的锗硅材料，所述指定区域为用于形成所述锗硅体层的区域；

在所述指定区域上制作保护盖；

基于所述保护盖，对所述介电材料与所述目标锗硅外延层进行刻蚀，形成所述锗硅体层。

4.根据权利要求1至3任一项所述的工艺方法，其特征在于，所述目标鳍片包括层叠的牺牲层与沟道层；其中，所述目标鳍片中沟道层的数量为N层。

5.根据权利要求4所述的工艺方法，其特征在于，所述目标锗硅外延层还包括位于所述鳍片顶侧的第三连接角。

6.根据权利要求1至3任一项所述的工艺方法，其特征在于，所述第一连接角与所述第二连接角对称分布于所述目标鳍片的沿沟道方向的两侧。

7.根据权利要求4所述的工艺方法，其特征在于，所述锗硅体层沿沟道方向的宽度小于或等于指定宽度；

所述指定宽度匹配于特定高度鳍片外外延出的特定锗硅外延层的宽度，所述特定高度鳍片中沟道层的数量少于所述目标鳍片中沟道层的数量；

所述特定高度鳍片中牺牲层的厚度匹配于所述目标鳍片中牺牲层的厚度，所述特定高度鳍片中沟道层的厚度匹配于所述目标鳍片中沟道层的厚度，所述目标鳍片沿对应沟道方向的宽度匹配于所述特定高度鳍片沿对应沟道方向的宽度。

8.根据权利要求7所述的工艺方法，其特征在于，所述特定高度鳍片中沟道层的数量为一层或两层。

9.一种器件制备方法，其特征在于，包括权利要求1至8任一项所述的源漏接触金属的工艺方法。

10.一种器件，其特征在于，利用权利要求9所述的器件制备方法制备而成。