[发明专利]源漏接触金属的工艺方法、器件及其制备方法

说明书

本发明提供了一种源漏接触金属的工艺方法、器件及其制备方法，源漏接触金属的工艺方法，包括：在基底上制作目标鳍片；在所述目标鳍片外外延锗硅材料，形成包围所述目标鳍片的目标锗硅外延层；所述目标锗硅外延层包括位于所述目标鳍片两侧的第一连接角与第二连接角；刻蚀掉所述目标锗硅外延层中的第一锗硅部分与第二锗硅部分，形成源漏的锗硅体层；所述第一锗硅部分包括所述第一连接角，所述第二锗硅部分包括所述第二连接角；在所述锗硅体层外沉积一层硅化物层；形成所述硅化物层与金属的接触连接。

技术领域

本发明涉及领域半导体领域，尤其涉及一种源漏接触金属的工艺方法、器件及其制备方法。

背景技术

晶体管器件，可理解为用半导体材料制作的开关结构，其中一种晶体管器件为环栅器件，也可理解为GAA器件、GAAFET。其中，GAA的全称为：Gate-All-Around，表示一种环绕式栅极技术。

现有相关技术中，GAAFET器件的高度比较高，对应的，在制备器件过程中，所形成的鳍片的高度也较高，GAAFET器件上SiGe源漏外延的方案中，源漏的锗硅体层(即SiGe源漏)是基于鳍片外延锗硅材料从而形成的，随着鳍片高度的增加，SiGe外延的厚度也需要同步增加，由于其外延晶向生长本征特性，源漏的锗硅体层的横向宽度也会同步增加。进而，过大的横向宽度将会对器件的性能带来不利影响。

发明内容

本发明提供一种源漏接触金属的工艺方法、器件及其制备方法，以解决过大的横向宽度将会对器件的性能带来不利影响的问题。

根据本发明的第一方面，提供了一种源漏接触金属的工艺方法，包括：

在基底上制作目标鳍片；

在所述目标鳍片外外延锗硅材料，形成包围所述目标鳍片的目标锗硅外延层；所述目标锗硅外延层包括位于所述目标鳍片两侧的第一连接角与第二连接角；

刻蚀掉所述目标锗硅外延层中的第一锗硅部分与第二锗硅部分，形成源漏的锗硅体层；所述第一锗硅部分包括所述第一连接角，所述第二锗硅部分包括所述第二连接角；

在所述锗硅体层外沉积一层硅化物层；

形成所述硅化物层与金属的接触连接。

可选的，刻蚀掉所述目标锗硅外延层中的第一锗硅部分与第二锗硅部分，形成源漏的锗硅体层，包括：

在所述目标锗硅外延层外制作抗反射涂层；

在所述抗反射涂层上制作掩膜，并图案化所述掩膜，以使得正对所述第一锗硅部分与所述第二锗硅部分的掩膜被去除；

基于所述掩膜，刻蚀所述目标锗硅外延层，形成所述锗硅体层。

可选的，刻蚀掉所述目标锗硅外延层中的第一锗硅部分与第二锗硅部分，形成源漏的锗硅体层，包括：

在所述目标锗硅外延层外形成介电材料；

去除部分所述介电材料，以对外露出指定区域的锗硅材料，所述指定区域为用于形成所述锗硅体层的区域；

在所述指定区域上制作保护盖；

基于所述保护盖，对所述介电材料与所述目标锗硅外延层进行刻蚀，形成所述锗硅体层。

可选的，所述目标鳍片包括层叠的牺牲层与沟道层；其中，所述目标鳍片中沟道层的数量为N层。

可选的，所述目标锗硅外延层还包括位于所述鳍片顶侧的第三连接角。

可选的，所述第一连接角与所述第二连接角对称分布于所述目标鳍片的沿沟道方向的两侧。

可选的，所述锗硅体层沿沟道方向的宽度小于或等于指定宽度；