[发明专利]半导体结构及其形成方法

权利要求书

1.一种半导体结构的形成方法，其特征在于，包括：

提供半导体衬底，所述半导体衬底包括第一区域，所述第一区域的半导体衬底表面形成有若干依次堆叠的牺牲层和沟道层，所述若干依次堆叠的牺牲层和沟道层表面形成有伪栅极结构，其中，所述牺牲层侧壁形成有第二侧墙；

在所述第一区域上形成第一掩膜层；

刻蚀所述第一掩膜层暴露所述第二侧墙和沟道层第一侧的半导体衬底以及侧壁；

在所述第二侧墙和沟道层第一侧的半导体衬底以及侧壁外延生长形成源极；

在所述第一区域上形成第二掩膜层；

刻蚀所述第二掩膜层和所述第一掩膜层暴露所述第二侧墙和沟道层第二侧的半导体衬底以及侧壁；

在所述第二侧墙和沟道层第二侧的半导体衬底以及侧壁外延生长形成漏极，其中，所述源极和所述漏极具有相反的掺杂类型。

2.如权利要求1所述半导体结构的形成方法，其特征在于，所述半导体衬底还包括第二区域，所述第二区域的半导体衬底表面形成有若干依次堆叠的牺牲层和沟道层，所述若干依次堆叠的牺牲层和沟道层表面形成有伪栅极结构，其中，所述牺牲层侧壁形成有第二侧墙。

3.如权利要求2所述半导体结构的形成方法，其特征在于，在所述第一区域上形成第一掩膜层以及在所述第一区域上形成第二掩膜层时，在所述第二区域上也分别形成第一掩膜层以及第二掩膜层。

4.如权利要求1所述半导体结构的形成方法，其特征在于，所述牺牲层的材料包括硅锗，所述沟道层的材料包括硅。

5.如权利要求1所述半导体结构的形成方法，其特征在于，形成所述若干依次堆叠的牺牲层和沟道层的方法包括外延生长工艺。

6.如权利要求1所述半导体结构的形成方法，其特征在于，所述伪栅极结构包括伪栅极和位于所述伪栅极侧壁的第一侧墙。

7.一种半导体结构，其特征在于，包括：

半导体衬底，所述半导体衬底包括第一区域，所述第一区域的半导体衬底表面形成有若干依次堆叠的牺牲层和沟道层，所述若干依次堆叠的牺牲层和沟道层表面形成有伪栅极结构，其中，所述牺牲层侧壁形成有第二侧墙；

源极和漏极，分别位于所述第二侧墙和沟道层侧壁，其中，所述源极和所述漏极具有相反的掺杂类型。

8.如权利要求7所述的半导体结构，其特征在于，所述半导体衬底还包括第二区域，所述第二区域的半导体衬底表面形成有若干依次堆叠的牺牲层和沟道层，所述若干依次堆叠的牺牲层和沟道层表面形成有伪栅极结构，其中，所述牺牲层侧壁形成有第二侧墙。

9.如权利要求8所述的半导体结构，其特征在于，所述第二区域的半导体衬底表面还形成有源极和漏极，分别位于所述第二侧墙和沟道层侧壁，其中，所述源极和所述漏极具有相同的掺杂类型。

10.如权利要求7所述的半导体结构，其特征在于，所述牺牲层的材料包括硅锗，所述沟道层的材料包括硅。

11.如权利要求7所述的半导体结构，其特征在于，所述伪栅极结构包括伪栅极和位于所述伪栅极侧壁的第一侧墙。