[发明专利]具有改善过压保护的返驰式转换器

权利要求书

1.一种具有改善过压保护的返驰式转换器，其特征在于，该返驰式转换器包括：

一初级侧绕组被配置用以接收一输入电压：

一次级侧绕组耦合至该初级侧绕组以及与一整流电路连接以产生直流输出电压；

一初级侧调节控制器；

一辅助绕组被配置用以提供该初级侧调节控制器操作电源；

一外部侦测电路连接于该辅助绕组与该初级侧调节控制器之间；

一内部侦测电路设置于该初级侧调节控制器内部并耦接该外部侦测电路，借由侦测流经该外部侦测电路的电流值并与该内部侦测电路的一预设电流值比较，用以启动或关闭一过压保护电路；及

一切换装置连接至该初级侧绕组及该初级侧调节控制器用以接收该初级侧调节控制器所产生的开关讯号并改变流经该初级侧绕组的电流。

2.根据权利要求1所述的具有改善过压保护的返驰式转换器，其特征在于，所述外部侦测电路是通过一引脚耦接该内部侦测电路。

3.根据权利要求2所述的具有改善过压保护的返驰式转换器，其特征在于，所述内部侦测电路包含：

一运算放大器，其正输入端接地，其负输入端耦接一第一晶体管以及所述引脚，其输出端耦接该第一晶体管；

一电流镜，其输入端耦接该第一晶体管，接收流经该外部侦测电路的该电流值并输出；

一电流源，耦接该电流镜，提供所述预设电流值；

一缓冲器，其输入端耦接该电流镜的输出端以及该电流源，其输出端耦接所述过压保护电路，借由比较流经该外部侦测电路的该电流值与该预设电流值，用以启动或关闭所述过压保护电路。

4.根据权利要求3所述的具有改善过压保护的返驰式转换器，其特征在于，所述第一晶体管为N型金属氧化物半导体场效晶体管(NMOSFET)。

5.根据权利要求4所述的具有改善过压保护的返驰式转换器，其特征在于，所述电流镜包含：

一第二晶体管，该第二晶体管为P型金属氧化物半导体场效晶体管(PMOSFET)；

一第三晶体管，该第三晶体管为P型金属氧化物半导体场效晶体管(PMOSFET)，

其中，该第二晶体管与该第三晶体管的闸极相互耦接，且耦接该第二晶体管与该第一晶体管的汲极，该第二晶体管与该第三晶体管的源极耦接供应电压。

6.根据权利要求4所述的具有改善过压保护的返驰式转换器，其特征在于，所述运算放大器的所述负输入端耦接所述第一晶体管的源极。

7.根据权利要求4所述的具有改善过压保护的返驰式转换器，其特征在于，所述运算放大器的所述输出端耦接所述第一晶体管的闸极。

8.根据权利要求4所述的具有改善过压保护的返驰式转换器，其特征在于，所述电流镜的输入端耦接所述第一晶体管的汲极。

9.根据权利要求1所述的具有改善过压保护的返驰式转换器，其特征在于，所述外部侦测电路为分压电路。

10.根据权利要求1所述的具有改善过压保护的返驰式转换器，其特征在于，所述初级侧调节控制器为集成电路控制器。

11.根据权利要求1所述的具有改善过压保护的返驰式转换器，其特征在于，所述切换装置为一个金属氧化物半导体场效晶体管(MOSFET)。