[发明专利]具有改善过压保护的返驰式转换器

说明书

本发明公开了一种具有改善过压保护的返驰式转换器，包括一初级侧绕组被配置用以接收一输入电压：一次级侧绕组耦合至该初级侧绕组以及与一整流电路连接以产生直流输出电压；一初级侧调节控制器；一辅助绕组被配置用以提供该初级侧调节控制器操作电源；一外部侦测电路连接于该辅助绕组与该初级侧调节控制器之间；一内部侦测电路设置于该初级侧调节控制器内部并耦接该外部侦测电路，借由侦测流经该外部侦测电路的电流值并与该内部侦测电路的一预设电流值比较，用以启动或关闭一过压保护电路；及一切换装置连接至该初级侧绕组及该初级侧调节控制器用以接收该初级侧调节控制器所产生的开关讯号并改变流经该初级侧绕组的电流。

技术领域

本发明涉及返驰式转换器相关的技术领域，特别是一种具有改善过压保护的返驰式转换器。

背景技术

由于返驰式转换器(flyback converter)具有高效律、低耗损、小尺寸以及重量轻等优点，因此被广泛应用于各种电子产品的电源转换装置。为求返驰式转换器能正常且稳定的运作，返驰式转换器的保护机制是非常重要的部分，例如过电压保护功能。

传统上返驰式转换器是通过侦测一次侧输入电压当作过电压的保护机制，其电压保护点是固定的。过压保护电路必须维持恒常侦测模式，随时需要消耗电力。

近年来，人们越来越关注用电子设备的能耗，例如越来越严格的节能标准被颁布。用于个人计算器和其他电子设备中的充电装置，例如智能型手机、平板计算机的充电装置，一般典型的充电装置是利用返驰式转换器作为交流/直流转换，其为了满足未来电子装置更趋严格的绿能环保需求，一种具有更精细节能规范的过压保护机制是需要的。

发明内容

基于上述需求，本发明提供一种具有改善过压保护的返驰式转换器，包括一初级侧绕组被配置用以接收一输入电压：一次级侧绕组耦合至该初级侧绕组以及与一整流电路连接以产生直流输出电压；一初级侧调节控制器；一辅助绕组被配置用以提供该初级侧调节控制器操作电源；一外部侦测电路连接于该辅助绕组与该初级侧调节控制器之间；一内部侦测电路设置于该初级侧调节控制器内部并耦接该外部侦测电路，借由侦测流经该外部侦测电路的电流值并与该内部侦测电路的一预设电流值比较，用以启动或关闭一过压保护电路；及一切换装置连接至该初级侧绕组及该初级侧调节控制器用以接收该初级侧调节控制器所产生的开关讯号并改变流经该初级侧绕组的电流。

所述外部侦测电路是通过一引脚耦接该内部侦测电路。

所述内部侦测电路包含：一运算放大器，其正输入端接地，其负输入端耦接一第一晶体管以及所述引脚，其输出端耦接该第一晶体管；一电流镜，其输入端耦接该第一晶体管，接收流经该外部侦测电路的该电流值并输出；一电流源，耦接该电流镜，提供所述预设电流值；一缓冲器，其输入端耦接该电流镜的输出端以及该电流源，其输出端耦接所述过压保护电路，借由比较流经该外部侦测电路的该电流值与该预设电流值，用以启动或关闭所述过压保护电路。

所述第一晶体管为N型金属氧化物半导体场效晶体管(NMOSFET)。

所述电流镜包含：一第二晶体管，该第二晶体管为P型金属氧化物半导体场效晶体管(PMOSFET)；一第三晶体管，该第三晶体管为P型金属氧化物半导体场效晶体管(PMOSFET)，其中，该第二晶体管与该第三晶体管的闸极相互耦接，且耦接该第二晶体管与该第一晶体管的汲极，该第二晶体管与该第三晶体管的源极耦接供应电压。

所述运算放大器的负输入端耦接所述第一晶体管的源极。

所述运算放大器的输出端耦接所述第一晶体管的闸极。

所述外部侦测电路为分压电路。

所述电流镜的输入端耦接所述第一晶体管的汲极。

所述初级侧调节控制器为集成电路控制器。

所述切换装置为一个金属氧化物半导体场效晶体管(MOSFET)，作为由初级侧调节控制器控制的主开关。