[发明专利]封装器件及其形成方法在审
申请号: | 202110652050.8 | 申请日: | 2021-06-11 |
公开(公告)号: | CN114927424A | 公开(公告)日: | 2022-08-19 |
发明(设计)人: | 陈明发;叶松峯;陈宪伟 | 申请(专利权)人: | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
主分类号: | H01L21/50 | 分类号: | H01L21/50;H01L21/56;H01L23/31;H01L25/16 |
代理公司: | 北京德恒律治知识产权代理有限公司 11409 | 代理人: | 章社杲;李伟 |
地址: | 中国台*** | 国省代码: | 台湾;71 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 封装 器件 及其 形成 方法 | ||
1.一种形成封装器件的方法,包括:
提供第一器件管芯,所述第一器件管芯包括设置在其中的有源器件,所述第一器件管芯具有第一表面积;
将第二器件管芯接合至所述第一器件管芯,所述第二器件管芯具有小于所述第一表面积的一半的第二表面积;
将一个或多个非有源结构接合至所述第一器件管芯,所述一个或多个非有源结构具有累积的第三表面积,所述第二表面积和所述累积的第三表面积一起大于所述第一表面积的一半;以及
利用间隙填充材料填充横向围绕所述第二器件管芯和所述一个或多个非有源结构的间隙。
2.根据权利要求1所述的方法,还包括:
在所述间隙填充材料中形成通孔。
3.根据权利要求1所述的方法,其中,将所述一个或多个非有源结构中的第一非有源结构接合至所述第一器件管芯包括:
将所述第一非有源结构放置在所述第一器件管芯上;
将所述第一非有源结构压在所述第一器件管芯上;以及
退火所述第一非有源结构和所述第一器件管芯的组合。
4.根据权利要求3所述的方法,其中,所述第一非有源结构与所述第一器件管芯的切割线重叠并且覆盖第三器件管芯的部分,所述第三器件管芯与所述第一器件管芯相邻。
5.根据权利要求1所述的方法,还包括:
在所述间隙填充材料上方形成再分布结构;
在所述再分布结构上方形成连接件结构;以及
从晶圆分割所述第一器件管芯以形成包括所述第一器件管芯、所述第二器件管芯以及所述一个或多个非有源结构的至少部分的分割的器件封装件。
6.根据权利要求5所述的方法,其中,所述分割包括切割工艺,其中,所述切割工艺切穿所述一个或多个非有源结构中的第一非有源结构。
7.根据权利要求1所述的方法,其中,将所述第二器件管芯接合至所述第一器件管芯包括:
将所述第二器件管芯的第二接合焊盘与所述第一器件管芯的第一接合焊盘对准;
将所述第二接合焊盘压至所述第一接合焊盘;以及
退火所述第二器件管芯和所述第一器件管芯以使所述第一接合焊盘的金属材料与所述第二接合焊盘的金属材料相互扩散。
8.根据权利要求1所述的方法,其中,所述一个或多个非有源结构没有电耦接至所述第一器件管芯的所述有源器件。
9.一种封装器件,包括:
第一器件管芯,所述第一器件管芯具有第一覆盖区;
第二器件管芯,接合至所述第一器件管芯,所述第二器件管芯具有小于所述第一覆盖区的一半的第二覆盖区,所述第二器件管芯包括半导体衬底;
一个或多个非有源结构,接合至与所述第二器件管芯相邻的所述第一器件管芯,所述一个或多个非有源结构包括没有任何有源器件的半导体衬底;
间隙填充材料,横向围绕所述第二器件管芯和所述一个或多个非有源结构;以及
连接件结构,设置在所述间隙填充材料上方,所述连接件结构电耦接至所述第二器件管芯。
10.一种封装器件,包括:
第一器件管芯;
第二器件管芯,接合至所述第一器件管芯;
一个或多个非有源结构,接合至所述第一器件管芯,其中,所述第二器件管芯和所述一个或多个非有源结构的累积面积大于所述第一器件管芯的面积的50%;
介电层,横向围绕所述第二器件管芯和所述一个或多个非有源结构;以及
连接件结构,设置在所述介电层上方,所述连接件结构电耦接至所述第二器件管芯。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造