[发明专利]封装器件及其形成方法

说明书

封装器件包括接合至它的第一器件管芯和第二器件管芯。当第二器件管芯的面积小于第一器件管芯的面积的一半时，具有半导体衬底的一个或多个非有源结构也接合至第一器件管芯，使得第二器件管芯和一个或多个非有源结构的组合面积大于第一器件管芯的面积的一半。本申请的实施例还涉及形成封装器件的方法。

技术领域

本申请的实施例涉及封装器件及其形成方法。

背景技术

集成电路的封装件变得越来越复杂，在同一封装件中封装更多的器件管芯以实现更多的功能。例如，已经开发了集成片上系统(SoIC)，以在同一封装件中包括多个器件管芯，诸如处理器和存储器数据集。SoIC可以包括使用不同技术形成的器件管芯，并且具有接合至同一器件管芯的不同功能，从而形成系统。这可以节省制造成本并且优化器件性能。

发明内容

本申请的实施例提供了一种形成封装器件的方法，包括：提供第一器件管芯，所述第一器件管芯包括设置在其中的有源器件，所述第一器件管芯具有第一表面积；将第二器件管芯接合至所述第一器件管芯，所述第二器件管芯具有小于所述第一表面积的一半的第二表面积；将一个或多个非有源结构接合至所述第一器件管芯，所述一个或多个非有源结构具有累积的第三表面积，所述第二表面积和所述累积的第三表面积一起大于所述第一表面积的一半；以及利用间隙填充材料填充横向围绕所述第二器件管芯和所述一个或多个非有源结构的间隙。

本申请的另一些实施例提供了一种封装器件，包括：第一器件管芯，所述第一器件管芯具有第一覆盖区；第二器件管芯，接合至所述第一器件管芯，所述第二器件管芯具有小于所述第一覆盖区的一半的第二覆盖区，所述第二器件管芯包括半导体衬底；一个或多个非有源结构，接合至与所述第二器件管芯相邻的所述第一器件管芯，所述一个或多个非有源结构包括没有任何有源器件的半导体衬底；间隙填充材料，横向围绕所述第二器件管芯和所述一个或多个非有源结构；以及连接件结构，设置在所述间隙填充材料上方，所述连接件结构电耦接至所述第二器件管芯。

本申请又一些实施例提供了一种封装器件，包括：第一器件管芯；第二器件管芯，接合至所述第一器件管芯；一个或多个非有源结构，接合至所述第一器件管芯，其中，所述第二器件管芯和所述一个或多个非有源结构的累积面积大于所述第一器件管芯的面积的50％；介电层，横向围绕所述第二器件管芯和所述一个或多个非有源结构；以及连接件结构，设置在所述介电层上方，所述连接件结构电耦接至所述第二器件管芯。

附图说明

当结合附图进行阅读时，从以下详细描述可最佳理解本发明的各个方面。应该指出，根据工业中的标准实践，各个部件未按比例绘制。实际上，为了清楚的讨论，各个部件的尺寸可以任意地增大或减小。

图1示出了根据一些实施例的在中间步骤中的封装器件的立体图。

图2示出了具有限定在其内的多个器件管芯的封装组件的顶视图。

图3至图6示出了根据本发明的一些实施例的在形成封装器件中的中间阶段的截面图。

图7是根据一些实施例的设置在另一器件管芯上的器件管芯的顶视图。

图8示出了具有限定在其内的多个非有源结构的非有源封装组件的顶视图。

图9至图22示出了根据一些实施例的用于各个非有源结构的中间阶段以及它们与器件管芯的关系。

图23至图28示出了根据一些实施例的用于形成包括第一器件管芯、附接至它的一个或多个第二器件管芯以及也附接至它的一个或多个非有源结构的封装器件的中间步骤。

图29至图37示出了根据各个实施例的具有第一器件管芯、附接至它的一个或多个器件管芯以及也附接至它的一个或多个非有源结构的封装器件。

具体实施方式