[发明专利]一种分段控制的多晶硅制备方法有效
| 申请号： | 202110654366.0 | 申请日： | 2021-06-10 |
| 公开（公告）号： | CN113371717B | 公开（公告）日： | 2022-12-27 |
| 发明（设计）人： | 甘易武;高志明;鲍守珍;高承燕;郑连基;李延新;范晔;杨玉福 | 申请（专利权）人： | 青海亚洲硅业半导体有限公司 |
| 主分类号： | C01B33/035 | 分类号： | C01B33/035 |
| 代理公司： | 成都华风专利事务所(普通合伙) 51223 | 代理人： | 杜朗宇 |
| 地址： | 810007 青*** | 国省代码： | 青海;63 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 分段 控制 多晶 制备 方法 | ||
1.一种分段控制的多晶硅制备方法，其特征在于，包括如下内容：
在0h~20h，控制还原炉中温度由945℃~955℃提升至965℃~985℃，TCS:DCS的质量比由（93.5:6.5）~（94:6）调整至（95.2:4.8）~（95.8:4.2），TCS:H2的质量比由（1:0.09）~（1:0.11）调整至（1:0.045）~（1:0.055）；
在21h~100h，控制还原炉中温度为965℃~985℃提升至995℃~1090℃，TCS:DCS的质量比由（95.2:4.8）~（95.8:4.2）调整至（97:3）~（97.5:2.5），或从21h起一直保持为（96.1:3.9）~（96.7:3.3），TCS:H2的质量比由（1:0.045）~（1:0.055）调整至（1:0.007）~（1:0.025）；
在101h至反应结束，控制还原炉中温度为995℃~1050℃，TCS:DCS的质量比为（97.3:2.7）~（99.1:0.9），TCS:H2的质量比为（1:0.008）~（1:0.012）；
反应温度或物料用量的变化经历的变化过程10次等比例梯度变化。
2.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，在0h~20h，控制还原炉中温度由950℃提升至970℃~980℃，TCS:DCS的质量比由93.7:6.3调整至95.5:4.5，TCS:H2的质量比由1:0.1调整至1:0.05；
在20h~100h，控制还原炉中温度为970℃~980℃提升至1000℃~1080℃，TCS:DCS的质量比由95.5:4.5调整至97.2:2.8，或从21h起一直保持为96.4:3.6，TCS:H2的质量比由1:0.05调整至（1:0.008）~（1:0.02）；
在101h至反应结束，控制还原炉中温度为1000℃~1040℃，TCS:DCS的质量比为（97.3:2.7）~（99.1:0.9），TCS: H2的质量比为（1:0.009）~（1:0.01）；
反应温度或物料用量的变化经历的变化过程10次等比例梯度变化。
3.根据权利要求1或2所述的制备方法，其特征在于，先将TCS、DCS汽化后再通入还原炉。
4.根据权利要求1或2所述的制备方法，其特征在于，将TCS、DCS、H2被加热至110~140℃再通入还原炉。
5.根据权利要求1或2所述的制备方法，其特征在于，所述TCS为高纯TCS，所述DCS为高纯DCS。
6.根据权利要求1或2所述的制备方法，其特征在于，所述还原炉为改良西门子法所使用的还原炉。
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