[发明专利]一种紫外LED光电芯片的封装结构及制备方法

权利要求书

1.一种紫外LED光电芯片的封装结构，其特征在于，包括：芯片(1)、基板(2)和透光材质制成的盖板(3)；

所述基板(2)包括基底(21)和成型在所述基底上的筒形侧壁(22)，所述基底(21)与侧壁(22)共同限定一反射腔，且所述侧壁(22)的内壁面依次设置有金属反射层(23)和增强反射层(24)；所述基底(21)的内壁面为三维立体反光面；所述筒形侧壁(22)顶端口径大于底端口径，所述侧壁(22)的顶端端面上开设有卡槽(221)；

所述芯片(1)固定安装在所述基底(21)内壁面上；

所述盖板(3)上下表面设有多个纳米槽(31)，且沿盖板(3)边缘开设有与卡槽(221)适配的卡扣(32)。

2.根据权利要求1所述的一种紫外LED光电芯片的封装结构，其特征在于，所述侧壁(22)的内壁面为三维凹凸面。

3.根据权利要求2所述的一种紫外LED光电芯片的封装结构，其特征在于，所述侧壁(22)的内壁面为远离所述基底(21)的一端向外倾斜布置的斜面。

4.根据权利要求2所述的一种紫外LED光电芯片的封装结构，其特征在于，所述侧壁(22)的内壁面为外凸凹的弧面型。

5.根据权利要求1所述的一种紫外LED光电芯片的封装结构，其特征在于，还包括导热板(4)，所述导热板(4)键合于所述基底(21)的内壁面，所述芯片(1)固定安装在所述导热板(4)顶面。

6.根据权利要求5所述的一种紫外LED光电芯片的封装结构，其特征在于，所述卡槽(221)的纵截面为V型槽，卡扣(32)为与卡槽(221)适配的V型结构。

7.根据权利要求6所述的一种紫外LED光电芯片的封装结构，其特征在于，所述卡扣(32)和卡槽(221)至少其一表面开设有多个楔形口(321)。

8.一种紫外LED光电芯片的封装结构制备方法，其特征在于，包括：

步骤1：制作基板(2)，将基板(2)的原材料烧结成模胚，模胚进行表面抛光成型，通过激光微雕刻获得基板(2)精确尺寸，然后通过等离子体刻蚀方法对基板(2)表面精细化打磨；

步骤2：制作盖板(3)，将盖板(3)的原材料经过高温塑形，通过激光切割和激光微雕刻对盖板(3)表面成型处理；随后，通过激光微纳加工、蚀刻和酸碱腐蚀，对盖板(3)表面进行粗化处理，形成纳米槽(31)；

步骤3：镀层，在基底(21)和侧壁(22)内壁先后蒸镀金属反射层(23)和增强反射层(24)；

步骤4：安装芯片(1)；

步骤5：涂胶，在卡槽(221)内均匀涂上封装胶水；

步骤6：封装，将基板(2)和盖板(3)放入密闭操作箱，连续抽低压至密闭操作箱内气压小于100torr，将盖板(3)上的卡扣(32)插入侧壁(22)上的卡槽(221)内，将基板(2)封闭，从密闭操作箱中取出，封装完成。

9.根据权利要求8所述的一种紫外LED光电芯片的封装结构制备方法，其特征在于，步骤1和步骤2之间还包括基板(2)镀层，用酸性溶液对基板(2)表面进行清洗，之后用碱性溶液对基板(2)表面进行清洗，最后通过蒸镀对基板(2)表面镀一层硅化合物。

10.根据权利要求8所述的一种紫外LED光电芯片的封装结构制备方法，其特征在于，步骤4还包括通过金属键合方法安装导热板(4)。