[发明专利]一种电路板及背钻加工方法在审

专利信息
申请号: 202110655494.7 申请日: 2021-06-11
公开(公告)号: CN115474338A 公开(公告)日: 2022-12-13
发明(设计)人: 林淡填;杜玉芳;韩雪川;刘海龙;吴杰 申请(专利权)人: 深南电路股份有限公司
主分类号: H05K3/00 分类号: H05K3/00;H05K1/02
代理公司: 深圳市威世博知识产权代理事务所(普通合伙) 44280 代理人: 黎坚怡
地址: 518117 广东省深*** 国省代码: 广东;44
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摘要:
搜索关键词: 一种 电路板 加工 方法
【权利要求书】:

1.一种电路板的背钻加工方法,其特征在于,所述背钻加工方法包括:

获取到待背钻板;其中,所述待背钻板包括目标信号层以及至少两个导电参考层;所述目标信号层为对应当前背钻任务的信号层;

在所述待背钻板的设定位置钻通孔,并基于所述通孔获取所述待背钻板的两个所述导电参考层的实测间距;

响应于待背钻的背钻孔为第一类型,基于所述实测间距,确定目标背钻深度;控制背钻钻头向所述目标信号层钻所述目标背钻深度的背钻孔,且背钻不钻穿所述目标信号层;响应于待背钻的背钻孔为第二类型,基于所述实测间距,确定背钻终点相对于机台的目标相对高度;控制背钻钻头向所述目标信号层钻至所述目标相对高度的背钻孔,且背钻不钻穿所述目标信号层。

2.根据权利要求1所述的背钻加工方法,其特征在于,所述背钻加工方法还包括:

获取到所述待背钻板上所述背钻孔的预设背钻深度;

响应于所述预设背钻深度大于等于信号探测安全值,确定所述背钻孔为第一类型;

响应于所述预设背钻深度小于信号探测安全值,确定所述背钻孔为第二类型。

3.根据权利要求2所述的背钻加工方法,其特征在于,所述待背钻板包括第一导电参层、第二导电参考层和第三导电参考层,其中,所述第一导电参层为所述待背钻板背钻入钻一侧的第一表面导电层,所述第二导电参考层于所述第一表面导电层与所述目标信号层之间,所述第三导电参考层为所述待背钻板的第二表面导电层;

所述在所述待背钻板的设定位置钻通孔,并基于所述通孔获取所述待背钻板的两个所述导电参考层的实测间距的步骤,包括:

在所述待背钻板的设定位置,由所述第二表面导电层进行入钻钻通孔,获取所述第二表面导电层与所述第二导电参考层之间的所述实测间距;

所述响应于待背钻的背钻孔为第二类型,基于所述实测间距,确定背钻终点相对于机台的目标相对高度;控制背钻钻头向所述目标信号层钻至所述目标相对高度的背钻孔,且背钻不钻穿所述目标信号层的步骤,包括:

响应于待背钻的背钻孔为第二类型,基于所述第二表面导电层与所述第二导电参考层之间的所述实测间距,确定背钻终点相对于机台的目标相对高度;

控制背钻钻头由所述待背钻板的所述第一表面导电层一侧入钻,向所述目标信号层进行背钻,钻至所述目标相对高度,得到所述背钻孔,且背钻不钻穿所述目标信号层。

4.根据权利要求3所述的背钻加工方法,其特征在于,所述响应于待背钻的背钻孔为第二类型,基于所述第二表面导电层与所述第二导电参考层之间的所述实测间距,确定背钻终点相对于机台的目标相对高度,包括:

响应于待背钻的背钻孔为第二类型,基于所述第二表面导电层与所述第二导电参考层之间的所述实测间距以及由所述第二导电参考层向所述目标信号层的预设分阶控深,确定背钻终点相对于机台的目标相对高度。

5.根据权利要求4所述的背钻加工方法,其特征在于,所述待背钻板的所述第二表面导电层一侧设有垫板;

所述响应于待背钻的背钻孔为第二类型,基于所述第二表面导电层与所述第二导电参考层之间的所述实测间距,确定背钻终点相对于机台的目标相对高度,包括:

基于所述第二表面导电层与所述第二导电参考层之间的所述实测间距、由所述第二导电参考层向所述目标信号层的预设分阶控深、所述垫板相对机台高度,确定背钻终点相对于机台的目标相对高度。

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