[发明专利]耦合至一个或多个光电检测器的多个波导

权利要求书

1.一种结构，包括：

第一光电检测器，包括由锗组成的第一光吸收层；以及

第一波导芯，耦合至该第一光吸收层，该第一波导芯由介电材料组成。

2.如权利要求1所述的结构，其中，该第一光吸收层包括顶表面，且该第一波导芯设置在该第一光吸收层的该顶表面上。

3.如权利要求2所述的结构，其中，该第一光吸收层包括侧表面，且该第一波导芯延伸通过该第一光吸收层的该侧表面至该第一光吸收层的该顶表面。

4.如权利要求1所述的结构，其中，该第一光吸收层包括顶表面、第一侧表面、及第二侧表面，该第一波导芯横向地重迭于该第一侧表面，该第一波导芯横向地重迭于该第二侧表面，且该第一波导芯设置在该第一光吸收层的该顶表面上。

5.如权利要求1所述的结构，其中，该第一波导芯包括侧表面，该第一光吸收层包括侧表面，且该第一波导芯的该侧表面与该第一光吸收层的该侧表面邻接。

6.如权利要求1所述的结构，还包括：

第二光电检测器，包括由锗组成的第二光吸收层；以及

第二波导芯，耦合至该第二光吸收层，该第二波导芯由单晶硅组成，

其中，该第一光电检测器、该第一波导芯、该第二光电检测器、及该第二波导芯位在光子芯片上。

7.如权利要求1所述的结构，其中，该第一光电检测器包括由单晶硅组成的衬垫、在该衬垫中的阳极、及在该衬垫中的阴极，该衬垫具有顶表面，且该第一光吸收层设置在该衬垫的该顶表面上。

8.如权利要求7所述的结构，其中，该第一光吸收层包括侧表面以相对该衬垫的该顶表面的锐角倾斜，且该第一波导芯延伸通过该侧表面。

9.如权利要求1所述的结构，还包括：

第二波导芯，耦合至该第一光吸收层。

10.如权利要求9所述的结构，其中，该第一波导芯的该介电材料为氮化硅，且该第二波导芯由单晶硅组成。

11.如权利要求9所述的结构，其中，该第一光吸收层包括第一侧表面及相对该第一侧表面的第二侧表面，该第一波导芯延伸通过该第一光吸收层的该第一侧表面，且该第二波导芯耦合至该第一光吸收层于该第一侧表面处。

12.如权利要求11所述的结构，其中，该第一波导芯沿纵轴延伸，且该第一波导芯以锐角或钝角与该第一光吸收层的该第一侧表面相交。

13.如权利要求9所述的结构，其中，该第一光吸收层包括第一侧表面及相对该第一侧表面的第二侧表面，该第一波导芯延伸通过该第一光吸收层的该第二侧表面，且该第二波导芯耦合至该第一光吸收层于该第一光吸收层的该第一侧表面处。

14.如权利要求9所述的结构，还包括：

第一源，组构以供应横向电场模态的第一激光，其由该第一波导芯引导至该第一光吸收层；以及

第二源，组构以供应横向磁场模态的第二激光，其由该第二波导芯引导至该第一光吸收层。

15.如权利要求9所述的结构，还包括：

第一源，组构以供应横向磁场模态的第一激光，其由该第一波导芯引导至该第一光吸收层；以及

第二源，组构以供应横向电场模态的第二激光，其由该第二波导芯引导至该第一光吸收层。

16.一种方法，包括：

形成包括由锗组成的第一光吸收层的第一光电检测器；以及

形成耦合至该第一光吸收层的第一波导芯，

其中，该第一波导芯由介电材料组成。