[发明专利]耦合至一个或多个光电检测器的多个波导

说明书

本发明涉及耦合至一个或多个光电检测器的多个波导，提供用于光电检测器的结构，以及制造用于光电检测器的结构的方法。光电检测器可具有由锗组成的光吸收层。波导芯可耦合至光吸收层。波导芯可由介电材料，例如氮化硅，组成。另一波导芯可由不同材料，例如单晶硅，组成，其可耦合至光吸收层。

技术领域

本发明涉及光子芯片(photonics chip)，更特别地，涉及用于光电检测器(photodetector)的结构以及制造用于光电检测器的结构的方法。

背景技术

光子芯片使用在许多应用及系统上，例如数据通讯系统及数据计算系统。光子芯片集成光学组件，例如波导、光栅耦合器、及光学开关，及电子组件，例如场效应晶体管，至统一的平台。除其他因素外，布局区域、成本、及营运开销可经由两种类型组件的集成而减少。

光子芯片包括检测器以将调制光转化为光信号。光电检测器将光的调制脉冲转化为脉冲电流以提供电信号。

用于光电检测器的改良结构以及制造用于光电检测器的结构的方法是需要的。

发明内容

依据本发明的实施例，一种结构包括光电检测器，其具有由锗组成的光吸收层。结构还可包括波导芯，其耦合至光吸收层。波导芯可由介电材料例如氮化硅组成。另一波导芯，由不同材料例如单晶硅组成，其也可耦合至光吸收层。

依据本发明的实施例，一种方法包括形成具有由锗组成的光吸收层的光电检测器。方法还包括形成耦合至光吸收层的波导芯。波导芯可由介电材料例如氮化硅组成。方法还可包括形成另一波导芯，其可由不同材料例如单晶硅组成，其也可耦合至光吸收层。

附图说明

结合并构成本申请说明书一部分的附图中，示出本发明的各种实施例，且以上本发明给出的一般描述及以下实施例给出的详细描述，一起用于解释本发明的实施例。在附图中，各个视图中相似的参考符号参照为相似的特征。

图1显示依据本发明实施例中处理方法的初始制造阶段的结构的俯视图。

图2显示通常沿图1中的线2-2撷取的剖视图。

图3显示图1后续的处理方法的制造阶段的结构的俯视图。

图4显示通常沿图3中的线4-4撷取的剖视图。

图5显示图3后续的处理方法的制造阶段的结构的俯视图。

图6显示通常沿图5中的线6-6撷取的剖视图。

图7显示图5后续的处理方法的制造阶段的结构的俯视图。

图8显示通常沿图7中的线8-8撷取的剖视图。

图9显示图7后续的处理方法的制造阶段的结构的俯视图。

图10显示通常沿图9中的线10-10撷取的剖视图。

图11显示图9后续的处理方法的制造阶段的结构的俯视图。

图12显示通常沿图11中的线12-12撷取的剖视图。

图13显示依据本发明另一实施例的剖视图。

图14显示依据本发明另一实施例的结构的俯视图。

图15显示通常沿图14中的线15-15撷取的剖视图。

图16显示依据本发明另一实施例的结构的剖视图。

图17及图18显示依据本发明另一实施例的结构的示意俯视图。

具体实施方式