[发明专利]一种利用反溶剂一步法制备钙钛矿薄膜的方法

权利要求书

1.一种利用反溶剂一步法制备钙钛矿薄膜的方法，其特征在于，在钙钛矿前驱体溶液旋涂过程中滴加聚甲基丙烯酸甲酯-氯苯反溶剂。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，具体步骤如下：

S1：配制钙钛矿前驱体溶液；

S2：在钙钛矿前驱体溶液旋涂过程中滴加聚甲基丙烯酸甲酯-氯苯反溶剂；

S3：进行热退火得到钙钛矿薄膜。

3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于：所述步骤S1中钙钛矿为CH₃NH₃PbI₃。

4.根据权利要求3所述的方法，其特征在于：将CH₃NH₃I粉末和PbI₂粉末溶解于DMF与DMSO的混合溶剂中，磁力搅拌，反应充分后得到黄色澄清的钙钛矿前驱体溶液。

5.根据权利要求2所述的方法，其特征在于：所述步骤S2中钙钛矿前驱体溶液与聚甲基丙烯酸甲酯-氯苯反溶剂的体积比为1:（1.5-2.0），4000rpm~6000rpm旋涂30~40s。

6.根据权利要求2所述的方法，其特征在于：所述步骤S2中旋涂结束后在加热台上、氮气保护下预退火10~15s，之后将样品取出，在环境空气条件下100 ℃加热退火20min，得到钙钛矿薄膜。

7.权利要求1-6任一项所述的方法制备得到的钙钛矿薄膜在钙钛矿光电探测器中的应用。

8.根据权利要求7所述的应用，其特征在于：所述钙钛矿光电探测器在光功率密度为707 μW/cm²的532 nm激光二极管照射并且零偏压的情况下，响应度达到了204.8 mA/W，探测度达到了4.71×10¹¹ Jones。

9.根据权利要求8所述的应用，其特征在于：所述钙钛矿光电探测器从下到上依次包括导电基底、空穴传输层、钙钛矿薄膜、电子传输层和金属电极。

10.根据权利要求9所述的应用，其特征在于：所述导电基底为ITO导电玻璃、FTO、AZO或TCO，空穴传输层为PEDOT:PSS，电子传输层为PC₆₁BM，金属电极是金或银。