[发明专利]一种单芯片DAF胶带粘晶方法在审
| 申请号： | 202110663132.2 | 申请日： | 2021-06-15 |
| 公开（公告）号： | CN113410164A | 公开（公告）日： | 2021-09-17 |
| 发明（设计）人： | 梅志鹏;岳永豪;张宁 | 申请（专利权）人： | 西安微电子技术研究所 |
| 主分类号： | H01L21/67 | 分类号： | H01L21/67 |
| 代理公司： | 西安通大专利代理有限责任公司 61200 | 代理人： | 李红霖 |
| 地址： | 710065 陕西*** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 芯片 daf 胶带 方法 | ||
1.一种单芯片DAF胶带粘晶方法，其特征在于，包括如下步骤：
步骤1)将DAF胶带贴附在绷片环上；
步骤2)将单颗芯片贴附在DAF胶带上，之后对载有单颗芯片的绷片环进行加热加压；
步骤3)步骤2)的加热加压结束后，将芯片取下进行粘晶。
2.根据权利要求1所述的单芯片DAF胶带粘晶方法，其特征在于，步骤1)中，将绷片环上贴附好的DAF胶带切割成若干个小方块。
3.根据权利要求2所述的单芯片DAF胶带粘晶方法，其特征在于，步骤1)中，小方块的尺寸为0.05mm×0.05mm。
4.根据权利要求1所述的单芯片DAF胶带粘晶方法，其特征在于，步骤3)中，加热加压后，对DAF胶带层进行裁划；
裁划的尺寸大于芯片尺寸0～100μm。
5.根据权利要求4所述的单芯片DAF胶带粘晶方法，其特征在于，步骤2)中，所述裁划是在晶圆划片机上进行的。
6.根据权利要求1所述的单芯片DAF胶带粘晶方法，其特征在于，步骤2)中，加热加压的条件参数为：温度60～90℃；压力0.1Mpa；时间3～10秒。
7.根据权利要求1所述的单芯片DAF胶带粘晶方法，其特征在于，步骤3)中，取下芯片具体是利用UV光照射DAF胶带的背面；
UV光照射的强度＞120mW/cm2。
8.根据权利要求1所述的单芯片DAF胶带粘晶方法，其特征在于，步骤2)中，单颗芯片利用吸取放置装置进行贴附；
具体操作过程为：利用吸取放置装置吸取单颗芯片正面，背面朝下贴附在DAF胶带上。
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H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
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