[发明专利]一种单芯片DAF胶带粘晶方法

说明书

本发明公开了一种单芯片DAF胶带粘晶方法，属于半导体封装技术领域，通过将待粘晶的单芯片贴附在经过预处理DAF胶带上，实现单芯片与DAF胶带的贴合，然后通过传统的粘晶工艺实现芯片与载体的紧密粘接。通过本发明的实施，有效解决了单芯片无法预先贴附DAF胶带进行粘晶的问题，从而解决了单芯片粘晶工艺中容易出现的溢胶、翻胶、胶层不均、空洞等问题。本发明方法是一种使用DAF胶带进行单芯片粘晶的新思路、新方法。应用本发明方法对于单芯片的粘晶，可以将底部空洞率控制在5％以内，胶层均匀性控制在10％，溢胶范围不超过20μm，杜绝翻胶的发生。

技术领域

本发明属于半导体封装技术领域，涉及一种单芯片DAF胶带粘晶方法。

背景技术

目前半导体器件典型的封装过程包括晶圆减薄、划片、粘晶、引线键合、包封。传统的芯片粘晶过程主要有两种方式，一种是在芯片载体上预先点涂液态粘片胶，之后将芯片放置在上面，最后固化粘片胶以固定芯片；另一种是使用带有粘片胶层的划片胶带(DAF胶带)，在晶圆减薄后将其贴附在晶圆背面使DAF胶带上的可分离半固态粘接层与芯片贴合，划片后单颗芯片带有粘接层可使芯片直接贴合在芯片载体上，最后通过固化粘接层以固定芯片。

其中方式一对于点胶胶量的控制、贴片精度要求很高，会存在溢胶、翻胶、胶层不均等问题；方式二相较于方式一改变了施胶方式，将原先的在芯片载体上点涂液态胶替换为在芯片背面预置半固态胶膜的方法，此种方式对于超薄芯片、芯片叠层封装的粘接情形尤其适用。但是方式二对加工对象有限制要求，预置胶膜只能以晶圆为加工对象，限制了以单芯片为对象的DAF胶膜粘晶工艺的应用。

发明内容

为了克服上述现有技术中，溢胶、翻胶、胶层不均和适用范围小的缺点，本发明的目的在于提供一种单芯片DAF胶带粘晶方法。

为了达到上述目的，本发明采用以下技术方案予以实现：

一种单芯片DAF胶带粘晶方法，包括如下步骤：

步骤1)将DAF胶带贴附在绷片环上；

步骤2)将单颗芯片贴附在DAF胶带上，之后对载有单颗芯片的绷片环进行加热加压；

步骤3)步骤2)的加热加压结束后，将芯片取下进行粘晶。

进一步优选地，将绷片环上贴附好的DAF胶带切割成若干个小方块。

优选地，小方块的尺寸为0.05mm×0.05mm。

优选地，加热加压后，对DAF胶带层进行裁划；

裁划的尺寸大于芯片尺寸0～100μm。

优选地，步骤2)中，所述裁划是在晶圆划片机上进行的。

优选地，步骤2)中，加热加压的条件参数为：温度60～90℃；压力0.1Mpa；时间3～10秒。

优选地，步骤3)中，取下芯片具体是利用UV光照射DAF胶带的背面；

UV光照射的强度＞120mW/cm²。

优选地，步骤2)中，单颗芯片利用吸取放置装置进行贴附；

具体操作过程为：利用吸取放置装置吸取单颗芯片正面，背面朝下贴附在DAF胶带上。

与现有技术相比，本发明具有以下有益效果：