[发明专利]一种射频收发前端封装结构及系统有效
申请号: | 202110664563.0 | 申请日: | 2021-06-16 |
公开(公告)号: | CN113594154B | 公开(公告)日: | 2023-08-08 |
发明(设计)人: | 张博文;林小飞;杨帆;刘浩 | 申请(专利权)人: | 北京无线电测量研究所 |
主分类号: | H01L25/18 | 分类号: | H01L25/18;H01L23/367;H01L23/373;H01L23/498;H04B1/38;H04B1/40;H04B1/44 |
代理公司: | 北京正理专利代理有限公司 11257 | 代理人: | 白淑贤 |
地址: | 100854*** | 国省代码: | 北京;11 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 射频 收发 前端 封装 结构 系统 | ||
1.一种射频收发前端封装结构,其特征在于,包括:
外壳,其中,所述外壳底部设置有金属热沉;
设置于所述金属热沉上的散热垫片和基板,其中,所述散热垫片在所述金属热沉上的正投影与所述基板在所述金属热沉上的正投影不重叠;
设置于所述散热垫片上的第一芯片,所述散热垫片用于对所述第一芯片进行散热;
设置于所述基板上的第二芯片,所述基板用于实现所述外壳、所述第一芯片及所述第二芯片之间的电连接;
与所述外壳对盒的盖板,所述外壳与所述盖板形成密闭腔体。
2.根据权利要求1所述的结构,其特征在于,所述外壳的材料为氧化铝陶瓷、氮化铝陶瓷或塑料中的一种。
3.根据权利要求2所述的结构,其特征在于,所述外壳的封装形式为四侧无引脚封装、方形扁平式封装或球栅阵列封装中的一种。
4.根据权利要求1所述的结构,其特征在于,所述散热垫片为钼铜、钨铜或金刚石铜中的一种。
5.根据权利要求1所述的结构,其特征在于,所述基板至少包括印制板、低温共烧陶瓷基板、高温共烧陶瓷基板、有机基板或硅基板中的一种。
6.根据权利要求1所述的结构,其特征在于,所述第一芯片至少包括驱动放大器、功率放大器、开关芯片、低噪声放大器、双向放大器、限幅器或衰减器芯片中的一种。
7.根据权利要求1所述的结构,其特征在于,所述第二芯片至少包括幅相多功能芯片、滤波器芯片或混频器芯片中的一种。
8.根据权利要求1所述的结构,其特征在于,还包括
设置于所述基板上的第三芯片,所述第三芯片用于对所述第一芯片和所述第二芯片进行电压调控,其中,所述外壳、第一芯片、第二芯片及第三芯片通过所述基板实现电连接。
9.一种采用权利要求1~8中任一项所述的封装结构的射频收发前端系统,其特征在于,包括:第一双向放大器、第二双向放大器、第三双向放大器、第四双向放大器、幅相多功能芯片、第五双向放大器及电源调制芯片,其中,
所述第一双向放大器包括第一接收通道和第一发射通道,所述第一接收通道和第一发射通道构成第一通道;
所述第二双向放大器包括第二接收通道和第二发射通道,所述第二接收通道和第二发射通道构成第二通道;
所述第三双向放大器包括第三接收通道和第三发射通道,所述第三接收通道和第三发射通道构成第三通道;
所述第四双向放大器包括第四接收通道和第四发射通道,所述第四接收通道和第四发射通道构成第四通道;
所述第五双向放大器包括第五接收通道和第五发射通道;
所述幅相多功能芯片用于接收来自所述第一接收通道、第二接收通道、第三接收通道及第四接收通道的第一射频信号,并对所述第一射频信号进行移相、衰减和功率合成后发送至第五接收通道;所述幅相多功能芯片用于接收来自所述第五发射通道的第二射频信号,并对所述第二射频信号进行移相、衰减和功率分配后发送至所述第一发射通道、第二发射通道、第三发射通道及第四发射通道;
所述电源调制芯片用于对所述第一双向放大器、第二双向放大器、第三双向放大器、第四双向放大器及第五双向放大器进行电压调控。
10.根据权利要求9所述的系统,其特征在于,所述第一双向放大器、第二双向放大器、第三双向放大器、第四双向放大器及第五双向放大器构成相同,均包括:功率放大器、低噪声放大器及开关,其中,
所述低噪声放大器用于放大经过接收通道的第一射频信号;
所述功率放大器用于放大经过发射通道的第二射频信号;
所述开关用于接收通道与发射通道的切换。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于北京无线电测量研究所,未经北京无线电测量研究所许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/202110664563.0/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类